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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2EE33, LM | - |  | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE33 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF32, LM (CT | 0.0721 | | 2819 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF32 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TB6551FG (O, EL, Dry) | - | | 4894 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Controlador de ventilador | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | TB6551 | Bi-CMOS | 6V ~ 10V | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF285, LM (CT | 0.0618 | | 3299 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF285 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TA58M05S (Yazk, AQ) | - | | 7841 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||
 | Tb67s158ng | 5.0500 | | 5471 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67S158 | DMOS | 10V ~ 60V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TB67S158NG (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 1.5a | 10V ~ 60V | Unipolar | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TBD62381AFWG, EL | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62381 | - | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||
 | Tb6552fng, c, 8, el | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TB6552 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 13.5V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM36, LF | 0.0926 | | 8010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM36 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3.6V | - | 1 | 0.2V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||
 | TCR2LN11, LF | - | | 2442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN11 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TCR2LE15, LM (CT | 0.0742 | | 5651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE15 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 1.13V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TCR3UF19A, LM (CT | 0.4100 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3UF19 | 5.5V | Fijado | SMV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR3UF19Alm (TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 1.9V | - | 1 | 0.464V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||
 | TCR3RM09A, LF | - | | 5897 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM09 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 0.9V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF125, LM (CT | 0.0618 | | 2335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.25V | - | 1 | 0.57V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||
| TB67H480FNG, EL | 2.1500 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 28-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | DMOS | 8.2V ~ 44V | 28-HTSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Encendido/apaguado | Medio Puente (4) | 2.5a | 8.2V ~ 44V | Bipolar | DC Cepillado | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN10, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN10 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1V | - | 1 | 0.75V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TCR3DG135, LF | 0.1054 | | 5613 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG135 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.35V | - | 1 | 0.53V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||
| TCK106AG, LF | 0.4800 | | 86 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK106 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPD (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 34mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | ||||||||||||||||||||
| TA58L12S, Q (J | - | | 8687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 12V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||
 | TCK22911G, LF | 0.1675 | | 8653 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga | TCK22911 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre temperatura, Corriente inverso, uvlo | Lado Alto | 31mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | ||||||||||||||||||||
| Tb67h400ang | 6.2800 | | 997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67H400 | Potencia Mosfet | 2V ~ 5.5V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Tb67h400ang (o) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 6A | 10V ~ 47V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||
| TB67S580FNG, EL | 2.1500 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 28-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | DMOS | 8.2V ~ 44V | 28-HTSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Encendido/apaguado | Medio Puente (4) | 1.6a | 8.2V ~ 44V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF29, LM (CT | 0.3200 | | 117 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF29 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.9V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
 | TB6643KQ, 8 | 4.5000 | | 171 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 7-sip | TB6643 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 7-Vesas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||
| TCR2LN30, LSF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||
| TCR1HF18B, LM (CT | 0.4800 | | 6805 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb67h410ng | 3.8200 | | 79 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67H410 | Bicdmos | 4.75V ~ 5.25V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Tb67h410ng (o) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 5A | 10V ~ 47V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||
| TCR2LN115, LF | - | | 4547 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN115 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||
| TCR3DM135, LF (SE | 0.4800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.35V | - | 1 | 0.52V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||
| TCR3UM18A, LF (SE | 0.4700 | | 166 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.457V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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