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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2LE115, LM (CT | 0.0742 |  | 6644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 1.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF335, LM (CT | 0.4900 | | 2885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF335 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.35V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE27, LM (CT | 0.0680 | | 1161 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE27 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM2925A, LF (SE | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 2.925V | - | 1 | 0.327V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM11, L3F | 0.4500 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM11 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.1V | - | 1 | 0.245V @ 800mA | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM13, LF (SE | 0.4800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.3V | - | 1 | 0.55V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG295, LF | 0.1394 | | 5506 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.95V | - | 1 | 0.12V @ 100 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM06, LF | 0.1344 | | 8644 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM06 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | 68 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 0.6V | - | 1 | 0.2V @ 500 Ma | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE185, LM (CT | 0.3500 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE185 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.85V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62084FNG, EL | 1.4000 | | 214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62084 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M06S, Q (J | - | | 2343 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M06 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500mA | 6V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5RG18A, LF | 0.5300 | | 480 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG18 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 1.8V | - | 1 | 0.29V @ 500 Ma | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK108AF, LF | 0.4800 | | 85 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK108 | Invertido | Canal P | 1: 1 | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 63mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D722CFG, EL | - | | 8068 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | Lineal | TC62D722 | - | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG185, LF | 0.1394 | | 7925 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.85V | - | 1 | 0.19V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76432S, WNLF (J | - | | 4672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN32, LSF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG11, LF | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG11 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.1V | - | 1 | 0.65V @ 300 Ma | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM29A, LF | 0.4600 | | 105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM29 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 2.9V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN285, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9120AFTG (EL) | 4.0100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición de 28 vqfn | TB9120 | NMOS, PMOS | 4.5V ~ 7V, 7V ~ 18V | 28-vqfn (6x6) | - | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Preconductor - Medio Puente (4) | 2.5a | - | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05BP (FJTN, AF | - | | 5680 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H620FNG, EL | 1.6300 | | 323 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TC78H620 | DMOS | 2.7V ~ 5.5V | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1A | 2.5V ~ 15V | Unipolar | DC Cepillado | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62503AFNG, EL | 1.0600 | | 5309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62503 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF45, LM (CT | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF45 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 125 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 4.5V | - | 1 | 0.22V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK126BG, LF | 0.4800 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Tasa de Matriz Controlada | TCK126 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPG (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 343mohm | 1V ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM10A, LF (SE | 0.4700 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 580 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 1.057v @ 300 ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62503AFG, EL | 1.4900 | | 1663 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62503 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF27, LM (CT | 0.3300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF27 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62064AFAG, EL | 1.2300 | | 3705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | - | TBD62064 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 4 | - | Lado Bajo | 430mohm | 50V (Máximo) | Propósito general | 1.25a |
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