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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCR2LN19, LF | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN19 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK105G, LF | - | ![]() | 1267 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK105 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPB (0.80x1.2) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Limitante de Corriente (Fijo), Sobre temperatura | Lado Alto | 50mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1.2a | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPD2017FN, L1F (S | 4.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | - | TPD2017 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | Limitante de Corriente (Ajustable), Sobre la temperatura | Lado Bajo | 1ohm | 0.8V ~ 2V | Relé, Controlador Solenoide | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B000FG, EL | 4.3106 | ![]() | 9973 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 42-SOP (0.330 ", 8.40 mm de ancho), 34 cables, exposición de almohadilla | Tb67b000 | IGBT | 13.5V ~ 16.5V | 34-HSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (3) | 2a | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN11, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS08BP (MBS1, FM | - | ![]() | 6826 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 1.2 Ma | - | Positivo | 30mera | 8V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L12S, LS1TOKQ (J | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 12V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S, SUMISQ (M | - | ![]() | 6938 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN11, LF | - | ![]() | 2442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN11 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.1V | - | 1 | 1.28v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76431AS, T6MURF (J | - | ![]() | 3539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6865AFG | - | ![]() | 7114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Transmisor de Alimentación Inalámbrica | Montaje en superficie | 100 LQFP | TB6865 | - | 4.5V ~ 14V | 100-LQFP (14x14) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 900 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN36, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TAR5SB50 (TE85L, F) | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Tar5sb50 | 15V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
TC78B027FTG, EL | 2.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24 vfqfn | TC78B027 | Nmos | 5V ~ 16V | 24-VQFN (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 200 MMA | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
TB62206FG, EL | - | ![]() | 3729 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 20-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62206 | DMOS | 4.5V ~ 5.5V | 20-HSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 13V ~ 35V | Bipolar | - | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S, LS2MTDQ (J | - | ![]() | 2696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG30A, LF | 0.4700 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3UG30 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP-F (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0.273V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN31, LF | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN31 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK302G, LF | 0.4658 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCK30 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado | TCK302 | - | N-canal | 1: 1 | 9-WCSP (1.5x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo | Lado Alto | 73mohm | 2.3V ~ 28V | Propósito general | 3A | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb67s158ng | 5.0500 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | A Través del Aguetero | 24-sdip (0.300 ", 7.62 mm) | TB67S158 | DMOS | 10V ~ 60V | 24 SDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TB67S158NG (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 1.5a | 10V ~ 60V | Unipolar | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67H401ftg (O, El) | 4.7800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67H401 | Bicdmos | 4.75V ~ 5.25V | 48-vqfn (7x7) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 6A | 10V ~ 47V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EN28, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE27, LM (CT | 0.0762 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE27 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.38V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN33, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62783APG | 1.6600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62783 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 18 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Alto | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62381AFWG, EL | 1.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62381 | - | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN30, LF (SE | 0.3800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L06S, SUMISQ (M | - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L06 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 6V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA48S015AF (T6L1, Q) | 1.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA48S015 | 16 V | Fijado | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | Permiso | Positivo | 1A | 1.5V | - | 1 | 1.9V @ 1a (typ) | 67dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS05BP, T6F (J | - | ![]() | 3893 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 1 MA | - | Positivo | 30mera | 5V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio |
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