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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Corriente - Salida / Canal | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Interruptor interno (s) | Topología | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR3RM18A, LF (SE | 0.4600 |  | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM18 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.8V | - | 1 | 0.22V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6561fg, 8, el | 3.5800 | | 2288 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 30-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | TB6561 | Bi-CMOS | 10V ~ 36V | 30-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 1.5a | 10V ~ 36V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L006AP, T6STF (M | - | | 2822 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L006 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 6V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 47dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF32, LM (CT | 0.3300 | | 2813 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF32 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L008AP (Tori, FM | - | | 7522 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L008 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 8V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 45dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78B042FTG, EL | 2.1300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C | Controlador de ventilador | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TC78B042 | - | 6V ~ 16.5V | 32-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Velocidad | PWM | Lado Alto, Lado Bajo | 2mera | 4.5V ~ 5.3V | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H600FNG, C, EL | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | TC78H600 | DMOS | 2.7V ~ 5.5V | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 15V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE105, LM (CT | 0.3900 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE105 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 1.4V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S128FTG (O, EL) | 7.8400 | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 64-vfqfn almohadilla exposición | TB67S128 | Potencia Mosfet | 0V ~ 5.5V | 64-vqfn (9x9) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolar | - | 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3RM10A, LF (SE | 0.4600 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM10 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 12 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | - | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb62752bfug, el | - | | 2895 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminar desde el fondo | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Regulador de DC DC | TB62752 | 1MHz | Sot-23-6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 20 Ma | 1 | Si | Agudo (Impulso) | 5.5V | PWM | 2.8V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67H302HG | 8.3300 | | 8296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB67H302 | Potencia Mosfet | 8V ~ 42V | 25 Hzip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TB67H302HG (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 17 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (4) | 4.5a | 8V ~ 42V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF25, LM (CT | 0.3800 | | 8549 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF25 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 2.5V | - | 1 | 0.31V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S, ALPSAQ (M | - | | 4393 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE14, LM (CT | 0.0680 | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE14 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.4V | - | 1 | 0.42V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN285, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR2LN285LF (secta | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS08BP (T6ND, AF | - | | 4886 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78DS | 33V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 1.2 Ma | - | Positivo | 30mera | 8V | - | 1 | 0.3V @ 10mA | - | Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22975G, LF | 0.1807 | | 3375 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK22975 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA7291FG (O, EL) | - | | 6661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TA7291 | Bipolar | 4.5V ~ 20V | 16-HSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.500 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 400mA | 0V ~ 20V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG20, LF | 0.1394 | | 3769 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2V | - | 1 | 0.16V @ 100 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF24, LM (CT | 0.0906 | | 9233 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF24 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 2.4V | - | 1 | 0.35V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM30, LF (SE | 0.4800 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083APG | 1.4900 | | 5066 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||
| Tc78b011ftg, el | 2.7300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TC78B011 | Nmos | 5.5V ~ 27V | 36 WQFN (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | I²C | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 240 mm | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb67h481ftg | 0.9817 | | 6624 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 264-tb67h481ftgtr | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN115, LF | - | | 6879 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN115 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.15V | - | 1 | 0.65V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62214AFNG, C8, EL | 2.8600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB62214 | DMOS | 4.75V ~ 5.25V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM175A, LF | 0.0878 | | 3614 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3um | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3UM175 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 680 na | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 1.75V | - | 1 | 0.273V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM10, LF (SE | 0.4800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.75V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S102AFNG, EL | 1.8746 | | 1039 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB67S102 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 |
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