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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Sic programable | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Tipo de Canal | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | Configuración impulsada | Número de conductores | Tipo de Puerta | Voltaje Lógico - Vil, vih | Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) | Tiempo de subida / Caída (typ) | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KIA78L24BP | - |  | 4448 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6585AftGC8, EL | 1.9179 | | 7765 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB6585 | Bi-CMOS | 4.5V ~ 42V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (3) | 1.2a | 4.5V ~ 42V | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7102F (TE12L, Q) | - | | 6031 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 1.4MHz | Positivo | Si | 3A | 0.8V | 5.5V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6222262ftg, EL | 1.1819 | | 1525 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Aparato | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB62262 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio Puente (4) | 1.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62003AFNG, EL | 1.1000 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62003 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb67h452ftg, El | 3.8200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TB67H452 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Conductor | PWM | Medio Puente (4) | 5A | 6.3V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3LM08A, RF | 0.3700 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3LM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 5,000 | 2.2 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 300mA | 0.8V | - | 1 | - | 74DB ~ 43dB (100Hz ~ 100kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62083AFWG, EL | 1.1900 | | 5405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | - | TBD62083 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62218AFG, 8, EL | 1.0604 | | 8985 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62218 | DMOS | 4.75V ~ 5.25V | 28-HSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE812NA, RF | 1.5200 | | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | TCKE812 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN105, LF | - | | 9926 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN105 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 1.38v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN27, LF | - | | 4626 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN27 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN31, LF | - | | 4678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN31 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF105, LM (CT | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF105 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1.05V | - | 1 | 0.77V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM10, L3F | 0.4900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5BM10 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 1V | - | 1 | 0.135V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S18U (TE85L, F) | 0.4700 | | 388 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | Tar5s18 | 15V | Fijado | UFV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.8V | - | 1 | - | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR15AG10, LF | 0.2531 | | 6785 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR15AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR15AG10 | 5.5V | Fijado | 6-WCSPF (0.80x1.2) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 40 µA | Permiso | Positivo | 1.5a | 1V | - | 1 | 0.228V @ 1.5a | 95dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE29, LM (CT | 0.0680 | | 6634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE29 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.9V | - | 1 | 0.23V @ 150 mm | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE31, LM (CT | 0.0680 | | 4405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE31 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE32, LM (CT | 0.3500 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE32 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE41, LM (CT | 0.3500 | | 233 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE41 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 4.1V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE19, LM (CT | 0.4000 | | 9367 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE19 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.62V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE21, LM (CT | 0.0742 | | 4687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE21 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.56V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UF28A, LM (CT | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3UF28 | 5.5V | Fijado | SMV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.342V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UF09A, LM (CT | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3UF09 | 5.5V | Fijado | SMV | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 580 na | Permiso | Positivo | 300mA | 0.9V | - | 1 | 1.157v @ 300 mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5RG12A, LF | 0.5300 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG12 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 1.2V | - | 1 | - | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK421G, L3F | 0.8500 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCK421 | No Invierte | Sin verificado | 2.7V ~ 28V | 6-WCSPG (0.8x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sincrónico | Lado Alto y Bajo | 2 | Mosfet de Canal N | 0.4V, 1.2V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN32, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR2EN32LF (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN19, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.6V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tck207an, lf | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK207 | No Invierte | N-canal | 1: 1 | 4-DFNA (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 21.5mohm | 0.75V ~ 3.6V | Propósito general | 2A |
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