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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCK127BG, LF | 0.4800 |  | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK127 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPG (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 343mohm | 1V ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9052FNG (EL) | 3.6153 | | 4372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB9052 | Bi-CMOS | 6V ~ 18V | 48 htssop | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Velocidad | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (2) | 100mA | - | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6552ftg, 8, el | 0.6489 | | 1259 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 16 wfqfn | TB6552 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 16 WQFN (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, Serie | Medio Puente (4) | 800mA | 2.5V ~ 13.5V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76431AS (TE6, F, M) | - | | 8436 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM35, LF (SE | 0.4800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 264-TCR3DM35LF (SETR | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.23V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AFG, C8, EL | 1.8494 | | 7821 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor | TB62213 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 28-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2.4a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tar5s33te85lf | 0.1496 | | 1444 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Tar5s33 | 15V | Fijado | SMV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Encendido/apaguado | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.2V @ 50MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN095, LF | - | | 8775 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN095 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.95V | - | 1 | 1.46V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76L431S, T6Q (J | - | | 7237 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE335, LM (CT | 0.0680 | | 2297 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE335 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.35V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62208FNG, C8, EL | 1.4997 | | 7801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB62208 | DMOS | 4.5V ~ 5.5V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.8a | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S (T6MURATFM | - | | 7643 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76431 | - | Atenuable | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | TA76431ST6MURATFM | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Positivo | - | 2.495V | 36V | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN34, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.4V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S213FTAG, EL | 1.3699 | | 2068 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 36 WFQFN almohadilla exposición | TB67S213 | Bicdmos | 4.75V ~ 5.25V | 36 WQFN (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2A | 10V ~ 35V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM10A, LF | - | | 2170 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM10 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22910G, LF | 0.4800 | | 6283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | - | TCK22910 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre temperatura, Corriente inverso, uvlo | Lado Alto | 31mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM105A, L3F | 0.4900 | | 5309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5BM105 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1.05V | - | 1 | 0.14V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6600HG | 6.3700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Cables Formados de 25 SIP | TB6600 | Potencia Mosfet | 8V ~ 42V | 25 Hzip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TB6600HG (O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 510 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 4.5a | 8V ~ 42V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM28, LF | 0.0926 | | 9748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | TCR3DM28 | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE105, LM (CT | 0.3900 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE105 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.05V | - | 1 | 1.4V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG285A, LF | 0.1229 | | 9683 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3ug | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR3UG285 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 680 na | Permiso | Positivo | 300mA | 2.85V | - | 1 | 0.327V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48S05AF (T6L1, Q) | - | | 7233 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA48S05 | 16 V | Fijado | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | Permiso | Positivo | 1A | 5V | - | 1 | 0.69V @ 1a (typ) | 60dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7108FN (TE85L, F) | - | | 1774 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TCV71 | 5.6v | Atenuable | PS-8 (2.9x2.4) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 1.5MHz | Positivo | Si | 2A | 0.8V | 5.6v | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L008AP (Tori, FM | - | | 7522 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L008 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 8V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 45dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM10, LF | 0.5000 | | 8528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM10 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | 68 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 1V | - | 1 | 0.25V @ 500 mA | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M09S, MATUDQ (J | - | | 2222 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M09 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500mA | 9V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9101FNG, EL | 5.1900 | | 7188 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Montaje en superficie | 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) | TB9101 | Bi-CMOS | 7v ~ 18V | 24-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Encendido/apaguado | Preconductor - Medio Puente (4) | 1.5a | 0.3V ~ 40V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6608FNG, C8, EL | 2.7300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | TB6608 | Potencia Mosfet | 2.7V ~ 5.5V | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 600mA | 2.5V ~ 13.5V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78L06BP | - | | 4285 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN27, LF | 0.3500 | | 35 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN27 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.7V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE |
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