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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Productora Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Corriente - Salida / Canal TUPO DE REFERENCIA Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Reiniciar Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Número de Voltajes Monitoreados Voltaje - Umbral Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TA78L05F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L05F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie To-243AA TA78L05 35V Fijado PW-Mini (SOT-89) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 5.5 Ma 6 MA - Positivo 150 Ma 5V - 1 - 49dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB6569FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6569fg, 8, el 2.7700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB6569 Bi-CMOS 10V ~ 45V 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo, PWM Medio Puente (2) 4A 10V ~ 45V - DC Cepillado -
TCR2EE30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE30, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE30 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S, T6Q (M -
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76L431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67H450FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450FNG, EL 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) TB67H450 - - 8-HSOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3,500 Conductor - Medio puente 3.5a 4.5V ~ 44V - DC Cepillado -
TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, T6WNLF (J -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76432 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG25, LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 5,000 Permiso Positivo 300mA 2.5V - 1 0.275V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3DF30,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30, LM 0.4000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF30 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 3V - 1 0.27V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF085, LM (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2LF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2LF085 5.5V Fijado SMV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 0.85V - 1 1.58v @ 150 mA - SOBRE LA CORRIENTE
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L024AP, F (J -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L024 40V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 24 V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 35dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG, C, 8, El 0.7648
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminación Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Conmutador AC DC Fuera de Línea TC62D902 200 kHz 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 - 1 No Volante 25V Triac 1.8V 15V
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE, LF (CT 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcth0xxxe Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Térmico Drenaje Abierto o Coleccionista Abierto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.000 - 1 0.5V
TCR3UG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG28A, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR3ug28 5.5V Fijado 4-WCSP-F (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 680 na Permiso Positivo 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA 70dB (1kHz) Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62786apg 1.8200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62786 Invertido Canal P 1: 1 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 2V ~ 50V Encendido/apaguado 8 - Lado Alto 1.6ohm 0V ~ 50V Propósito general 400mA
TA48L025F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L025F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie To-243AA TA48L025 16 V Fijado PW-Mini (SOT-89) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 Ma - Positivo 150 Ma 2.5V - 1 0.5V @ 100 Ma 70dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62771FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62771ftg, 8, el 1.5500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminar desde el fondo Montaje en superficie Almohadilla exposición de 20 wfqfn Regulador de DC DC TB62771 200kHz ~ 2MHz 20 WQFN (4x4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 150 Ma 4 Si Agudo (Impulso) 40V PWM 4.75V 45V
TCR3DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG32, LF 0.1054
RFQ
 ECAD 4276 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG32 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 65 µA 78 µA - Positivo 300mA 3.2V - 1 0.215V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3UF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18B, LM (CT 0.4100
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3UF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3UF18 5.5V Fijado SMV - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 680 na Permiso Positivo 300mA 1.8V - 1 0.464V @ 300 Ma 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB62755FPG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62755FPG, EL -
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Iluminar desde el fondo Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta Regulador de DC DC TB62755 1MHz 6-Son (1.8x2) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 20 Ma 1 Si Agudo (Impulso) 5.5V PWM 2.8V -
TC78H621FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H621FNG, EL 1.7000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78H621 DMOS 2.7V ~ 5.5V 16-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Conductor PWM Pre -conductor - Medio Puente (2) 1.1a 2.5V ~ 15V Bipolar DC Cepillado -
TCR2EF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF33, LM (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2EF33 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.3V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TB67S141HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141HG 5.9794
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero Cables Formados de 25 SIP TB67S141 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 25 Hzip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8542.39.0001 17 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (2) 3A 10V ~ 40V Unipolar - 1, 1/2, 1/4
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TB7110 27 V Atenuable Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 2 Dólar 500 kHz Positivo No 1.5a, 800 mA 1.215V 24 V 4.5V
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6F (J -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG33 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positivo 200 MMA 3.3V - 1 0.11V @ 100 Ma - Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb9051ftg, el 8.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Automotor Montaje en superficie 28-PowerQFN TB9051 Bi-CMOS 4.5V ~ 5.5V 28-Qfn (6x6) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 3.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia PWM Medio Puente (2) 6A - - DC Cepillado -
TCR2EE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE18, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE18 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.8V - 1 0.31V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A, LF (SE 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3RM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR3RM28 5.5V Fijado 4-DFNC (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 12 µA Límita real, Habilitar Positivo 300mA 2.8V - 1 0.15V @ 300mA 100dB ~ 68dB (1KHz ~ 1MHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.2V - 1 0.55V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A, LF (SE 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 580 na Límita real, Habilitar Positivo 300mA 0.8V - 1 1.257v @ 300 mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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