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Gestión de Energía (PMIC) (1138)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Amontonamiento Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Interfaz Número de Salidas Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Rectificador Sincónnico Método de Detección Exacto Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TB6586FG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG, EL, SECO -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) TB6586 Bi-CMOS 6.5V ~ 16.5V 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.31.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección Paralelo Pre -conductor - Medio Puente (3) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG, 8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -30 ° C ~ 85 ° C Propósito general Montaje en superficie 64-tqfp exposición TB6560 4.5V ~ 5.5V 64-HQFP (10x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.5a 4.5V ~ 34V Bipolar -
TCR8BM09A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM09A, L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 0.9V - 1 0.22V @ 800 mA - Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.9V - 1 0.6V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG, 8, EL 1.0604
RFQ
 ECAD 8985 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB62218 DMOS 4.75V ~ 5.25V 28-HSOP descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 2a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR2EN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.7V - 1 0.21V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TBD62308AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFG, EL 1.6600
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-BSOP (0.252 ", 6.40 mm de ancho) + 2 pestañas de calor - TBD62308 Invertido N-canal 1: 1 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1.500 4.5V ~ 5.5V Encendido/apaguado 4 - Lado Bajo 370mohm 50V (Máximo) Propósito general 1.5a
TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19, LF -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN19 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.9V - 1 0.29V @ 150 mm 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP, APNF (M -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L009 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 9V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 44dB (120Hz) SOBRE LA CORRIENTE
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6613ftg, 8, el 1.2236
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Activo TB6613 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Tb6613ftg8el EAR99 8542.39.0001 2,000
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A, L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR8BM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 36 µA Límita real, Habilitar Positivo 800mA 0.95V - 1 0.225V @ 800 mA - Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR2EN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN21, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.1V - 1 0.29V @ 300mA, 0.3V @ 300mA - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.1V - 1 0.28V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19, LM (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2EF19 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.9V - 1 0.31V @ 150 Ma 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5RG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP TCR5RG28 5.5V Fijado 4-WCSPF (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 13 µA - Positivo 500mA 2.8V - 1 0.21V @ 500 Ma 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105, LF 0.1357
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr4dg Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG105 5.5V Fijado 4-WCSPE (0.65x0.65) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Permiso Positivo 420 mm 1.05V - 1 0.991V @ 420MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA7291SG(O,J) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291SG (O, J) -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Propósito general A Través del Aguetero 9 manchas TA7291 Bipolar 4.5V ~ 20V 9 manchas descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (2) 400mA 0V ~ 20V - DC Cepillado -
TCV7106FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7106FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TCV71 5.6v Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 550 kHz Positivo Ambos 2a 0.8V 5.6v 2.7V
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, L2SUMIQ (M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L05 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1 MA 50 Ma - Positivo 250 Ma 5V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB9083FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9083ftg (El) 8.2600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TA) Propósito general Monte de superficie, Flanco Humectable 48-vfqfn almohadilla exposición Potencia Mosfet 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V 48-vqfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Gestión real SPI Pre -conductor - Medio Puente (3) - - Multifásico DC Sin Escobillas (BLDC) -
TCR2LN285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285, LF -
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN285 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.85V - 1 0.36V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada TCK107 No Invierte Canal P 1: 1 4-WCSPD (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 - Lado Alto 34mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 1A
TCKE805NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL, RF 1.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 10-WFDFN Pad, TCKE805 4.4V ~ 18V 10-WsonB (3x3) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Electrónico fusible - - 5A
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33, LM (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF33 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TB67S103AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S103AFTG, EL 1.6439
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB67S103 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia SPI Medio Puente (4) 3A 10V ~ 47V Bipolar - 1 ~ 1/32
TA48L033F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA48L033F (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie To-243AA TA48L033 16 V Fijado PW-Mini (SOT-89) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 800 µA 5 Ma - Positivo 150 Ma 3.3V - 1 0.5V @ 100 Ma 68dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF (T6L1, Q) -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) TA48S033 16 V Fijado 5-Vesas descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.7 Ma 20 Ma Permiso Positivo 1A 3.3V - 1 0.68V @ 1a (typ) 63dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TA76431S(6NETPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (6NETPP, AF -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage Tc78h620fng -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TC78H620 DMOS 2.7V ~ 5.5V 16-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1A 2.5V ~ 15V Unipolar DC Cepillado 1, 1/2
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.2V - 1 0.11V @ 100 Ma - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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