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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR3RM28A, LF | 0.4600 |  | 214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM28 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM095A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.95V | - | 1 | 0.225V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN21, LF (SE | 0.3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.1V | - | 1 | 0.29V @ 300mA, 0.3V @ 300mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG15, LF | 0.1394 | | 8750 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG15 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positivo | 200 MMA | 1.5V | - | 1 | 0.5V @ 100 Ma | - | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN31, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.1V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||
| KIA78DL10PI | - | | 5612 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S539SFTG, EL | 0.8343 | | 1329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | DMOS | 4.5V ~ 33V | 32-vqfn (5x5) | descascar | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Lógica | Medio Puente (4) | 1.8a | 4.5V ~ 33V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR15AG33, LF | 0.6400 | | 3004 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR15AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR15AG33 | 6V | Fijado | 6-WCSP (1.2x0.80) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 40 µA | Permiso | Positivo | 1.5a | 3.3V | - | 1 | 0.648V @ 1.5a | 95dB ~ 60dB (1kHz) | Límita real, apaguado térmico, uvlo | ||||||||||||||||||||||||
 | TA78L012AP, WNLF (J | - | | 9521 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L012 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 41dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF19, LM (CT | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF19 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.31V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||
 | TCR5RG28A, LF | 0.5300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5RG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | TCR5RG28 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPF (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 13 µA | - | Positivo | 500mA | 2.8V | - | 1 | 0.21V @ 500 Ma | 100dB ~ 59dB (1kHz ~ 1MHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE085, LM (CT | 0.0742 | | 7723 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 0.85V | - | 1 | 1.58v @ 150 mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L12S, ASHIQ (J | - | | 2048 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L12 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1.2 Ma | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 12V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||
 | TC78S121FNG, EL | 1.8494 | | 3199 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TC78S121 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 2a | 8V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||
| TCR4DG105, LF | 0.1357 | | 9636 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG105 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 420 mm | 1.05V | - | 1 | 0.991V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||
| TB9054ftg (EL) | 4.3700 | | 75 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automotor | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 40 vfqfn | TB9054 | DMOS | 4.5V ~ 28V | 40-Qfn (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM, SPI | Medio Puente (4) | 6A | 4.5V ~ 28V | Bipolar | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE50, LM (CT | 0.0680 | | 3748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE50 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||
 | TA7291SG (O, J) | - | | 2539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | 9 manchas | TA7291 | Bipolar | 4.5V ~ 20V | 9 manchas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 400mA | 0V ~ 20V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||
 | TBD62502AFNG, EL | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62502 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | |||||||||||||||||||||||
| TCV7106FN (TE85L, F) | - | | 7690 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TCV71 | 5.6v | Atenuable | PS-8 (2.9x2.4) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 550 kHz | Positivo | Ambos | 2a | 0.8V | 5.6v | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN36, LF | - | | 5789 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN36 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.6V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||
 | TCK22912G, LF | 0.5100 | | 705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | - | TCK22912 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Sobre temperatura, Corriente inverso, uvlo | Lado Alto | 31mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a | |||||||||||||||||||||||
 | TA48M04F (T6L1, SNQ) | - | | 1577 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M04 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 4v | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 68dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | |||||||||||||||||||||||
 | TA4800AF (T6L1, Q) | - | | 6637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA4800 | 16 V | Atenuable | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 1.5V | 9V | 1 | 0.5V @ 500 Ma | 63dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, L2SUMIQ (M | - | | 5073 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||
 | TBD62304AFWG, EL | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | - | TBD62304 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 50V (Máximo) | Propósito general | 400mA | |||||||||||||||||||||||
| TB9083ftg (El) | 8.2600 | | 53 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TA) | Propósito general | Monte de superficie, Flanco Humectable | 48-vfqfn almohadilla exposición | Potencia Mosfet | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Gestión real | SPI | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DG35, LF | 0.1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.215V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | |||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s265ftg, el | 1.1819 | | 3827 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S265 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, Serie | Medio Puente (4) | 2a | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2 | |||||||||||||||||||||||||
| TCK22972G, LF | 0.1807 | | 7624 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK22972 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2a |
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