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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Corriente - Suministro | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Coeficiente de temperatura | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | TUPO DE REFERENCIA | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Ruido - 0.1Hz A 10Hz | Ruido - 10Hz A 10 kHz | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCV7106FN (TE85L, F) | - |  | 7690 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TCV71 | 5.6v | Atenuable | PS-8 (2.9x2.4) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 550 kHz | Positivo | Ambos | 2A | 0.8V | 5.6v | 2.7V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA4800AF (T6L1, Q) | - | | 6637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-6, DPAK (5 cables + Pestaña) | TA4800 | 16 V | Atenuable | 5-Vesas | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.7 Ma | 20 Ma | - | Positivo | 1A | 1.5V | 9V | 1 | 0.5V @ 500 Ma | 63dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48M04F (T6L1, SNQ) | - | | 1577 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TA48M04 | 29V | Fijado | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 1.4 Ma | 25 Ma | - | Positivo | 500mA | 4v | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | 68dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM095A, L3F | 0.4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 0.95V | - | 1 | 0.225V @ 800 mA | - | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76432S (F, M) | - | | 7801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76432 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE32, LM (CT | 0.0762 | | 7556 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE32 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB9083ftg (El) | 8.2600 | | 53 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TA) | Propósito general | Monte de superficie, Flanco Humectable | 48-vfqfn almohadilla exposición | Potencia Mosfet | 3V ~ 5.5V, 4.5V ~ 28V | 48-vqfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Gestión real | SPI | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62304AFWG, EL | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | - | TBD62304 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 50V (Máximo) | Propósito general | 400mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S, L2SUMIQ (M | - | | 5073 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM28A, LF | 0.4600 | | 214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM28 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 2.8V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG35, LF | 0.1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr3dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 3.5V | - | 1 | 0.215V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre la Corriente, Sobre temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67s265ftg, el | 1.1819 | | 3827 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S265 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, Serie | Medio Puente (4) | 2A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22972G, LF | 0.1807 | | 7624 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK22972 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK107AG, LF | 0.4800 | | 277 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK107 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSPD (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 34mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S261FTG, EL | 2.5800 | | 370 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-WFQFN PADS EXPUESTA | TB67S261 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48-WQFN (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 2A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S128FTG, EL | 7.8400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 64-vfqfn almohadilla exposición | TB67S128 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 64-vqfn (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Medio puente | 5A | 6.5V ~ 44V | Bipolar | DC Sin Escobillas (BLDC) | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/128 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN285, LF | - | | 5637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2LN285 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.36V @ 150 Ma | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, WNLF (J | - | | 8329 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF33, LM (CT | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF33 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 3.3V | - | 1 | 0.25V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62004AFWG, EL | 0.3181 | | 9186 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | - | TBD62004 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76L431S, Q (J | - | | 9072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tbd62183afng, el | 1.2000 | | 8608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62183 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 18-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2.8V ~ 25V | - | 8 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 50mera | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE805NL, RF | 1.5200 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | TCKE805 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK22922G, LF | 0.1675 | | 9167 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK22922 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR15AG11, LF | 0.6400 | | 5742 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR15AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR15AG11 | 6V | Fijado | 6-WCSP (1.2x0.80) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 40 µA | Permiso | Positivo | 1.5a | 1.1V | - | 1 | 0.24V @ 1.5a | 95dB ~ 60dB (1kHz) | Límita real, apaguado térmico, uvlo | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L005AP, 6FNCF (J | - | | 8175 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L005 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 5V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 49dB (120Hz) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA7291P (O) | - | | 3971 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 10 sorbo | TA7291 | Bipolar | 4.5V ~ 20V | 10-Vesas | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 22 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1A | 0V ~ 20V | - | DC Cepillado | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78S122FTG, EL | 1.5754 | | 6970 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-vfqfn almohadilla exposición | TC78S122 | Potencia Mosfet | 4.5V ~ 5.5V | 48-Qfn (7x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (8) | 2A | 8V ~ 38V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48L033F (TE12L, F) | - | | 3844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA48L033 | 16 V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 800 µA | 5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 3.3V | - | 1 | 0.5V @ 100 Ma | 68dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF10, LM (CT | 0.0906 | | 6534 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF10 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Permiso | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.77V @ 300mA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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