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Gestión de Energía (PMIC) (1138)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Interfaz | Número de Salidas | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Tipo de interruptor | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TA58L05S (LS2PEV, AQ | - |  | 6732 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 5V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5SB33A (T5L, F, T) | - | | 5687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5SB | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR5SB33 | 6V | Fijado | SMV | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 75 µA | Permiso | Positivo | 150 Ma | 3.3V | - | 1 | 0.19V @ 50MA | 80dB (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L012AP (6TOJ, AF | - | | 4697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L012 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 41dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA7291P (O) | - | | 3971 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Propósito general | A Través del Aguetero | Pestaña exposición de 10 sorbo | TA7291 | Bipolar | 4.5V ~ 20V | 10-Vesas | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 22 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (2) | 1A | 0V ~ 20V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM11A, L3F | 0.1628 | | 8877 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM11 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.1V | - | 1 | 0.245V @ 800mA | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG185, LF | 0.1394 | | 7925 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.85V | - | 1 | 0.19V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H670FTG, EL | 1.5300 | | 8443 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 16-vfqfn almohadilla exposición | TC78H670 | DMOS | 1.5V ~ 5.5V | 16-vqfn (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | De serie | Medio Puente (4) | 2A | 2.5V ~ 16V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6560AFG, 8 | 3.8200 | | 5140 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 64-tqfp exposición | TB6560 | 4.5V ~ 5.5V | 64-HQFP (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 1.5a | 4.5V ~ 34V | Bipolar | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S508FTG, EL | 3.1400 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 36-vfqfn almohadilla exposición | TB67S508 | DMOS | 2V ~ 5.5V | 36-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Conductor | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (2) | 3A | 10V ~ 35V | Bipolar | DC Cepillado | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM11, L3F | 0.4500 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR8BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR8BM11 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 800mA | 1.1V | - | 1 | 0.245V @ 800mA | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6575fng, c, 8, el | 2.9800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 105 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) | TB6575 | CMOS | 4.5V ~ 5.5V | 24-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF13, LM (CT | 0.3800 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF13 | 5.5V | Fijado | SMV | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.3V | - | 1 | 1.13V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK301G, LF | 1.1500 | | 7356 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCK30 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado | TCK301 | - | N-canal | 1: 1 | 9-WCSP (1.5x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo | Lado Alto | 73mohm | 2.3V ~ 28V | Propósito general | 3A | |||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62502AFNG, EL | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | - | TBD62502 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 7 | - | Lado Bajo | - | 50V (Máximo) | Propósito general | 300mA | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2DG28, LF | 0.5000 | | 9976 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG28 | 5.5V | Fijado | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positivo | 200 MMA | 2.8V | - | 1 | 0.12V @ 100 mA | - | Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM29A, LF | 0.4600 | | 105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR3RM29 | 5.5V | Fijado | 4-DFNC (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | - | Positivo | 300mA | 2.9V | - | 1 | 0.13V @ 300mA | 100dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L24F (TE12L, F) | - | | 4095 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA78L24 | 40V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6 MA | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 24 V | - | 1 | - | 35dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | |||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN32, LSF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2ln | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.2V | - | 1 | 0.28V @ 150MA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M05S, KDQ (M | - | | 2978 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR13AGADJ, LF | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR13AG | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfbga, WLCSP | TCR13 | 6V | Atenuable | 6-WCSP (1.2x0.80) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 92 µA | Permiso | Positivo | 1.3a | 0.55V | 3.6V | 1 | 0.163V @ 1a | 90dB (1kHz) | Inrush Corriente, Sobre Corriente, Apaguado Térmico, Uvlo | ||||||||||||||||||||||||||||
| TCK108AF, LF | 0.4800 | | 85 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada | TCK108 | Invertido | Canal P | 1: 1 | SMV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 63mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||
| TA58L06S, Q (J | - | | 5930 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L06 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 6V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP, WNLF (J | - | | 9521 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L012 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 12V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 41dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK108G, LF | - | | 4705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Tasa de Matriz Controlada | TCK108 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 4-WCSP (0.79x0.79) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | - | Lado Alto | 49mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 1A | |||||||||||||||||||||||||||
| KIA78DL05PI | - | | 3058 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Activo | Kia78 | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7102F (TE12L, Q) | - | | 6031 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 1.4MHz | Positivo | Si | 3A | 0.8V | 5.5V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6641ftg, 8, el | 1.1263 | | 3247 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 32-vfqfn almohadilla exposición | TB6641 | Potencia Mosfet | 10V ~ 45V | 32-vqfn (5x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo, PWM | Medio Puente (2) | 1.5a | 10V ~ 45V | - | DC Cepillado | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE50, LM (T | - | | 8145 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2EE50 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | 1 (ilimitado) | TCR2EE50LM (T | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 5V | - | 1 | 0.2V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE812NA, RF | 1.5200 | | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 10-WFDFN Pad, | TCKE812 | 4.4V ~ 18V | 10-WsonB (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Electrónico fusible | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L10F (TE12L, F) | - | | 2002 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | TA78L10 | 35V | Fijado | PW-Mini (SOT-89) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6 MA | 6.5 Ma | - | Positivo | 150 Ma | 10V | - | 1 | - | 43dB (120Hz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura |
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