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Gestión de Energía (PMIC) (311)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Voltaje - Entrada | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Tipo de Canal | Método de Detección | Exacto | Corriente - Salida | Configuración impulsada | Número de conductores | Tipo de Puerta | Voltaje Lógico - Vil, vih | Salida Máxima de Corriente (Fuente, Sumidero) | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje lateral alto - max (bootstrap) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ixcy50m35 | - |  | 6452 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy50 | - | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 50mera | ||||||||||||||
| Ixcy02m35a | - | | 3278 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy02 | - | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 2mera | ||||||||||||||
 | Ixdn402sia | - | | 9854 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdn402 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 2a, 2a | 8ns, 8ns | |||||||||
 | Ixdf504d1t/r | - | | 4041 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdf504 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | |||||||||
| Ixdn502d1 | - | | 2602 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdn502 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 2a, 2a | 7.5ns, 6.5ns | |||||||||
| Ixc611s1 | - | | 1613 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IXC611 | - | Sin verificado | - | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
 | Ixdn409pi | - | | 2898 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdn409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | |||||||||
| IXS839S1T/R | - | | 5710 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IXS839 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Sincrónico | Medio puente | 2 | Mosfet de Canal N | 0.8V, 2V | 2a, 4a | 20ns, 15ns | 24 V | ||||||||
| Ixdd414pi | - | | 6645 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdd414 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8 Dipp | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Ixdd414pi-ndr | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 14a, 14a | 25ns, 22ns | ||||||||
| Ixcy10m35s | - | | 7465 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy10 | - | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 10 Ma | ||||||||||||||
| Ixg611s1 | - | | 5050 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixg611 | - | Sin verificado | - | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 470 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
 | Ixbd4411pi | - | | 4595 | 0.00000000 | Ixys | Isosmart ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixbd4411 | No Invierte | Sin verificado | 10V ~ 20V | 16 Dipp | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Ixbd4411pi-ndr | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Soltero | De Lado Alto | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 1V, 3.65V | 2a, 2a | 15ns, 15ns | 1200 V | |||||||
| Ixi848s1 | - | | 2290 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixi848 | 2.7V ~ 40V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 98 | Monitor | De Lado Alto | ± 0.7% | - | ||||||||||||||
| Ixdf504pi | - | | 8872 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdf504 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 4a, 4a | 9ns, 8ns | |||||||||
| Ixdd430mci | - | | 4520 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | Ixdd430 | No Invierte | Sin verificado | 8.5V ~ 35V | Un 220-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | |||||||||
| Ixs839bq2t/r | - | | 3258 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 10-vfdfn | IXS839 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 10-Qfn (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Sincrónico | Medio puente | 2 | Mosfet de Canal N | 0.8V, 2V | 2a, 4a | 20ns, 15ns | 24 V | ||||||||
| Ixdf404pi | - | | 6139 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Ixdf404 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8 Dipp | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | IXDF404PI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | ||||||||
| Ixdf404si | - | | 1857 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdf404 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | IXDF404SI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | ||||||||
| Ix2r11m6 | - | | 2053 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 16-vdfn | IX2R11 | No Invierte | Sin verificado | 10V ~ 35V | 16-MLP (7x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independiente | Medio puente | 2 | IGBT, N-CANAL MOSFET | 6V, 9.5V | 2a, 2a | 8ns, 7ns | 500 V | ||||||||
| Ixcy10m45s | 1.9750 | | 1379 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ixcy10 | 450V | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 70 | Regulador real | - | - | 100mA | |||||||||||||
 | Ixcp10m35a | - | | 8761 | 0.00000000 | Ixys | IXC | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IXCP10 | - | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regulador real | - | - | 10 Ma | ||||||||||||||
 | Ixdn430myi | - | | 8710 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-6, d²pak (5 cables + Pestaña), TO-263BA | Ixdn430 | No Invierte | Sin verificado | 8.5V ~ 35V | Un 263-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q1952551 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 30a, 30a | 18ns, 16ns | ||||||||
| Ixdn409sia | - | | 3269 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdn409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | |||||||||
| Ixdn404si | - | | 6715 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdn404 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Ixdn404si-ndr | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.5V | 4a, 4a | 16ns, 13ns | ||||||||
| Ixdn514d1 | - | | 1980 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdn514 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 1V, 2.5V | 14a, 14a | 25ns, 22ns | |||||||||
| Ixdn409ci | - | | 4816 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | Ixdn409 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 35V | Un 220-5 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3.5V | 9a, 9a | 10ns, 10ns | |||||||||
| Ixdd509sia | - | | 3799 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixdd509 | No Invierte | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | |||||||||
| Ixde509siat/r | - | | 5314 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Ixde509 | Invertido | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Soltero | De Lado Bajo | 1 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 2.4V | 9a, 9a | 25ns, 23ns | |||||||||
| Ix4r11m6 | - | | 4212 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 16-vdfn | IX4R11 | No Invierte | Sin verificado | 10V ~ 20V | 16-MLP (7x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Independiente | Medio puente | 2 | IGBT, N-CANAL MOSFET | 6V, 7V | 4a, 4a | 23ns, 22ns | 650 V | ||||||||
| Ixdf502d1 | - | | 2936 | 0.00000000 | Ixys | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Ixdf502 | Invertir, sin inversión | Sin verificado | 4.5V ~ 30V | 6-DFN (4x5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Independiente | De Lado Bajo | 2 | IGBT, N-CANAL, P-CANAL P MOSFET | 0.8V, 3V | 2a, 2a | 7.5ns, 6.5ns |
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