SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Voltaje: Suministro, único/dual (±) Voltaje - Desplazamiento de Entrada (Máximo) Corriente - Sesgo de Entrada (Max) Corriente - Salida (typ) Current - Obliescent (Max) CMRR, PSRR (typ) RetRaso de Propagación (Máximo) Histéris Corriente - Salida / Canal Número de Entradas Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Interfaz FRECUENCIA DE RELOJ Número de Salidas Tipo de activación Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Capacitancia de Entrada Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Interruptor interno (s) Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Voltaje - Suministro (Max) Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos Atenuación Voltaje - Suministro (min) Voltaje - Salida TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TC7SET00FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET00FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Conjunto TC7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7set00 1 4.5V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand 8 ma, 8 ma 2 µA 2 9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
TC7WHU04FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WHU04FU (TE12L) -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 7whu Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) - 7whu04 3 2V ~ 5.5V 8-ssop descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 8 ma, 8 ma 2 µA 1 7ns @ 5V, 50pf 0.3V 1.7V
TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275, LM (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE275 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.75V - 1 0.23V @ 150 mm 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12, LM (CT 0.4100
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE12 5.5V Fijado ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.2V - 1 1.25V @ 150 mA - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.4V - 1 0.13V @ 100 Ma - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.2V - 1 1.23V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG, C8, EL 2.0549
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Activo TB6560 descascar ROHS3 Cumplante TB6560AFTGC8EL EAR99 8542.39.0001 2,000
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A, LF 0.1261
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3ug Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP 5.5V Fijado 4-WCSPF (0.65x0.65) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 5,000 0.68 µA Límita real, Habilitar Positivo 300mA 1.825V - 1 - 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145, LM (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE145 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.45V - 1 - 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 0.85V - 1 1.56V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE11, LM (CT 0.0742
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2le Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-553 TCR2LE11 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.1V - 1 1.3V @ 150 mm - SOBRE LA CORRIENTE
74VHC174FT Toshiba Semiconductor and Storage 74vhc174ft 0.1020
RFQ
 ECAD 5661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TUPO D 74VHC174 Sin invertido 2V ~ 5.5V 16-tsopb descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 1 6 8 ma, 8 ma Restablecimiento maestro 120 MHz Borde positivo 9.2ns @ 5V, 50pf 4 µA 4 PF
TC75S58F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S58F, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Propósito general TC75S58 Desagüe SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 1 1.8V ~ 7V, ± 0.9V ~ 3.5V 7mv @ 5V 1PA @ 5V 25 Ma 20 µA - 800ns -
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285, LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.85V - 1 0.12V @ 100 mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TPD2015FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2015FN, L1F (S 3.8700
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 30-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) - TPD2015 No Invierte N-canal 1: 1 30-ssop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 8V ~ 40V Encendido/apaguado 8 Limitante de Corriente (Ajustable), Sobre la temperatura Lado Alto 900mohm - Relé, Controlador Solenoide 500mA
TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF285, LM (CT 0.0700
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2LF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR2LF285 5.5V Fijado SMV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.85V - 1 0.38V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TB62777FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6277777fng, c8, el 1.5200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Montaje en superficie 16-LSSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Lineal TB62777 - 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 40mera 8 Si Registro de Turno 5.5V - 3V 25V
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A, LM (CT 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3UF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3UF36 5.5V Fijado SMV - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 680 na Permiso Positivo 300mA 3.6V - 1 0.245V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR3RM285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A, LF -
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3RM Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR3RM285 5.5V Fijado 4-DFNC (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 - Positivo 300mA 2.85V - 1 0.13V @ 300mA 100dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.28V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11, RF (SE 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 Permiso Positivo 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300 Ma - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TCR2LN20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20, LF -
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2LN20 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 2V - 1 0.54V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TCR2DG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG18, LF 0.1411
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2DG Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG18 5.5V Fijado 4-WCSP (0.79x0.79) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positivo 200 MMA 1.8V - 1 0.2V @ 100 Ma - Incrustar Corriente, Sobre Corriente, Apagado Térmico
TA78DS10BP(6MB1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP (6MB1, FM -
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78DS 33V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 1.4 Ma - Positivo 30mera 10V - 1 0.3V @ 10mA - Sobre La Corriente, La Temperatura, El Voltaje Excesivo, El Voltaje Transitorio
TB6586AFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586AFG, EL, SECO -
RFQ
 ECAD 1607 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) TB6586 Bi-CMOS 6.5V ~ 16.5V 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.31.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección Paralelo Pre -conductor - Medio Puente (3) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX04 Banda Activo -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Tmpm4g8 100-LQFP (14x14) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4F 32 bits de un solo nús 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, por, WDT 512kb (512k x 8) Destello 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; D/a 2x8b Interno
TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22925G, LF 0.1675
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP Descarga de Carga, Velocidad de Juego Controlada TCK22925 No Invierte Canal P 1: 1 6-WCSPE (0.80x1.2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 Corriente Inversa Lado Alto 25mohm 1.1v ~ 5.5V Propósito general 2A
TB7102AF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102AF (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TB7102 5.5V Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 1A 0.8V 4.5V 2.7V
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L1.2, F) -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TB7101 5.5V Fijado PS-8 (2.9x2.4) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 1A 1.2V - 2.7V
TB62208FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FG, C, 8, El 1.5141
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 28-BSOP (0.346 ", 8.80 mm de ancho) + 2 pestañas de calor TB62208 DMOS 4.5V ~ 5.5V 28-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 1,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.8a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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