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Circuitos Integrados (ICS) (2120)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Voltaje - Entrada | Voltaje - Entrada (Max) | Tipo de Salida | Número de Circuitos | Ratio - Entrada: Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo lógico | Número de elementos | Número de bits por elemento | Corriente - Salida Alta, Baja | Amontonamiento | Current - Obliescent (Max) | Corriente - Salida / Canal | Número de Entradas | Número de e/s | Procesador central | Tamaña de Núcleo | Velocidad | Conectividad | Periféricos | Tamaña de la Memoria del Programa | Tipo de Memoria del Programa | Tamaña de la época | Tamaña de la Carnero | Voltaje - Suministro (VCC/VDD) | Convertidoros de datos | TUPO de Oscilador | Interfaz | Número de Salidas | Max de propagación del propita @ v, max cl | Real - Obliescent (IQ) | Real - Suministro (Max) | Nivel Lógico de Entrada - Bajo | Nivel Lógico de Entrada - Alto | Interruptor interno (s) | Topología | FRECUENCIA - CONMUTACIÓN | Protección Contra Fallas | Caracteríssticas de control | Voltaje - Suministro (Max) | Configuración de salida | Rectificador Sincónnico | Corriente - Salida | RDS ON (typ) | Voltaje - Carga | TUPO de MOTOR - PASO | TUPO DE MOTOR - AC, DC | Resolución de Pasos | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida | TUPO DE INTERRUPTOR | Corriente - Salida (Max) | Voltaje - Salida (Min/Fijo) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Entrada (min) | Número de reguladores | El abandono de voltaje (max) | PSRR | Caracteríssticas de Proteción |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TA58M05S, Q (J | - |  | 3007 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG30, LF | 0.1357 | | 9599 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr4dg | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG30 | 5.5V | Fijado | 4-WCSPE (0.65x0.65) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Permiso | Positivo | 420 mm | 3V | - | 1 | 0.291V @ 420MA | 70dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Cortocirco | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62387AFNG, EL | 1.5200 | | 7086 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 20-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | - | TBD62387 | Invertido | N-canal | 1: 1 | 20-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Tbd62387afngelct | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4.5V ~ 5.5V | Encendido/apaguado | 8 | - | Lado Bajo | 1.5ohm | 0V ~ 50V | Propósito general | 500mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM105A, L3F | 0.4900 | | 5309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5BM105 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 36 µA | Límita real, Habilitar | Positivo | 500mA | 1.05V | - | 1 | 0.14V @ 500 Ma | 98dB (1kHz) | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM10, LF (SE | 0.4800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-udfn almohadilla exposición | 5.5V | Fijado | 4-DFN (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | Permiso | Positivo | 300mA | 1V | - | 1 | 0.75V @ 300mA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6277777fg, 8, el | 0.6777 | | 7758 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación LED | Montaje en superficie | 16-SOP (0.181 ", 4.60 mm de ancho) | Lineal | TB62777 | - | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 40mera | 8 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74vhc541ft | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | 74 VHC | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 74VHC541 | - | De 3 estados | 2V ~ 5.5V | 20-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Búfer, sin inversor | 1 | 8 | 8 ma, 8 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74vhcv245ft | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | 74vhcv | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 74VHCV245 | Disparador de Schmitt | De 3 estados | 1.8v ~ 5.5V | 20-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Transceptor, sin inversor | 1 | 8 | 16 Ma, 16 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5AM055, LF | 0.1344 | | 2188 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TCR5AM | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xdfn | TCR5AM055 | 5.5V | Fijado | 5-DFNB (1.2x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | 55 µA | 68 µA | Permiso | Positivo | 500mA | 0.55V | - | 1 | 0.2V @ 500 Ma | 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz) | Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6586BFG, EL, SECO | - | | 6909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 24-SOP (0.236 ", 6.00 mm de Ancho) | TB6586 | Bi-CMOS | 6.5V ~ 16.5V | 24-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección | Paralelo | Pre -conductor - Medio Puente (3) | - | - | - | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D722CFNG | - | | 2080 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 24-TSOP (0.173 ", 4.40 mm) | Lineal | TC62D722 | - | 24-HTSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 90 Ma | 16 | Si | Registro de Turno | 5.5V | - | 3V | 17 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S109AFNG, EL | 3.6800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Propósito general | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB67S109 | Potencia Mosfet | 4.75V ~ 5.25V | 48 htssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | Paralelo | Medio Puente (4) | 3A | 10V ~ 47V | Bipolar | - | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC7S86FUT5LFT | - | | 3923 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TC7S | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - | 7S86 | 1 | 2V ~ 6V | 5-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Xor (exclusivo o) | 2.6MA, 2.6MA | 1 µA | 2 | 17ns @ 6V, 50pf | 0.5V ~ 1.8V | 1.5V ~ 4.2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb9044afng, el | 11.2332 | | 6472 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | FUENTE DE ALIMENTACIÓN, Automotrices de aplicacionales | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.240 ", 6.10 mm de ancho) Almohadilla exposición | TB9044 | - | 48 htssop | descascar | 3 (168 Horas) | 264-tb9044afngeltr | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 2 | 6V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58M05S (LBS2PP, AQ | - | | 6287 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58M05 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 80 Ma | - | Positivo | 500 µA | 5V | - | 1 | 0.65V @ 500 Ma | - | Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67B001BFTG, EL | 1.5343 | | 6576 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | 36-vfqfn almohadilla exposición | NMOS, PMOS | 4V ~ 22V | 36-vqfn (5x5) | descascar | 2,000 | Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 3A | 4V ~ 22V | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN19, LF (SE | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 1.9V | - | 1 | 0.29V @ 300mA, 0.3V @ 300mA | - | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE30, LM (CT | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-553 | TCR2LE30 | 5.5V | Fijado | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3V | - | 1 | 0.3V @ 150 mm | - | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN285, LF | - | | 2057 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN285 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 2.85V | - | 1 | 0.21V @ 150MA | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TMPM36BF10FG (DBB) | 11.5500 | | 281 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TX03 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | TMPM36 | 100-LQFP (14x14) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 90 | 72 | ARM® Cortex®-M3 | 32 bits de un solo nús | 64MHz | EBI/EMI, I²C, IRDA, Microwire, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART | DMA, LVD, por, WDT | 1 MB (1 mx 8) | Destello | - | 258k x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 16x12b | Externo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tmpm368fdfg | 12.0400 | | 5333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TX03 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | TMPM368 | 100-LQFP (14x14) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 90 | 59 | ARM® Cortex®-M3 | 32 bits de un solo nús | 80MHz | CANBUS, EBI/EMI, I²C, IRDA, MICROWIRE, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB | DMA, LVD, por, WDT | 512kb (512k x 8) | Destello | - | 128k x 8 | 2.7V ~ 3.6V | A/D 8x12b; D/a 2x10b | Externo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HNF10BFG | 13.0700 | | 90 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TXZ+ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 100 LQFP | 100-LQFP (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 264-TMPM3HNF10BFG | 90 | 92 | ARM® Cortex®-M3 | De 32 bits | 120MHz | I²C, SPI, UART/USART | DMA, LVD, Control de Motor Pwm, POR, WDT | 1 MB (1 mx 8) | Destello | 32k x 8 | 128k x 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 17X12B SAR; D/a 2x8b | Externo, interno | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D902FG, C, 8, El | 0.7648 | | 4860 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminación | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Conmutador AC DC Fuera de Línea | TC62D902 | 200 kHz | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | 1 | No | Volante | 25V | Triac | 1.8V | 15V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7100F (TE12L, Q) | - | | 8795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.5V | Atenuable | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Atropellado | 1 | Dólar | 800 kHz | Positivo | Si | 2.5a | 0.8V | 5.5V | 2.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L006AP, WNLF (J | - | | 3934 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | TA78L006 | 35V | Fijado | LSTM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 MA | - | Positivo | 150 Ma | 6V | - | 1 | 1.7V @ 40MA (typ) | 47dB (120Hz) | SOBRE LA CORRIENTE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22973G, LF | 0.1807 | | 8208 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | Tasa de Matriz Controlada | TCK22973 | No Invierte | Canal P | 1: 1 | 6-WCSPE (0.80x1.2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5,000 | Sin requerido | Encendido/apaguado | 1 | Corriente Inversa | Lado Alto | 25mohm | 1.1v ~ 5.5V | Propósito general | 2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN33, LF | 0.0896 | | 3356 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Tcr2en | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-xfdfn | TCR2EN33 | 5.5V | Fijado | 4-SDFN (0.8x0.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10,000 | 60 µA | Permiso | Positivo | 200 MMA | 3.3V | - | 1 | 0.18V @ 150 Ma | 73db (1kHz) | SOBRE LA CORRIENTE | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L08S, Q (J | - | | 5175 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TA58L08 | 29V | Fijado | Un 220nis | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 MA | 50 Ma | - | Positivo | 250 Ma | 8V | - | 1 | 0.4V @ 200MA | - | Sobre La Corriente, Sobre la temperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ02FE, LJ (CT | 0.3300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TC7SZ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | SOT-553 | - | 7SZ02 | 1 | 1.65V ~ 5.5V | ESV | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Ni Puerta | 32MA, 32MA | 2 µA | 2 | 4.3ns @ 5V, 50pf | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78B004FTG, EL | 2.5800 | | 8811 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C | Propósito general | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 40 wfqfn | TC78B004 | Nmos | 10V ~ 28V | 40 WQFN (6x6) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controlador - Velocidad | PWM | Pre -conductor - Medio Puente (3) | 100mA | - | Multifásico | DC Sin Escobillas (BLDC) | - |
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