SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Coeficiente de temperatura Productora Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) Número de Entradas TUPO DE REFERENCIA Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Número de Salidas Fuente de Suministro de Voltaje Reiniciar Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Circuito Circuitos Independientes Tiempo de RetRaso - Propagación Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Número de Voltajes Monitoreados Voltaje - Umbral Voltaje - Salida (Min/Fijo) Ruido - 0.1Hz A 10Hz Ruido - 10Hz A 10 kHz Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6F (J -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
74VHC02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74vhc02ft 0.4000
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74 VHC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74VHC02 4 2V ~ 5.5V 14-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Ni Puerta 8 ma, 8 ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TC7SH34F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F, LJ (CT 0.0721
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TC7SH34 - Empuje 2V ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TD62783APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62783APG, J, S -
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Conductor TD62783 5V 18 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 - 8/0 - -
TD62003APG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62003APG, N -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Conductor TD62003 0V ~ 50V 16 Dipp - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 25 - 7/0 - -
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE, LF (CT 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcth0xxxe Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Térmico Drenaje Abierto o Coleccionista Abierto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.000 - 1 0.5V
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S, Q (J -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58M15 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 80 Ma - Positivo 500mA 15V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62208ftg, 8, el -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB62208 DMOS 4.5V ~ 5.5V 48-Qfn (7x7) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.8a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TA48M05F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M05F (T6L1, SNQ) -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA48M05 29V Fijado Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1.4 Ma 25 Ma - Positivo 500mA 5V - 1 0.65V @ 500 Ma 68dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Sobre Voltaje, Polaridad Inversa
TB67S142FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S142FTG, EL 1.6439
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 48-WFQFN PADS EXPUESTA TB67S142 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-WQFN (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (2) 3A 10V ~ 40V Unipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR2EN29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29, LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2en Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn TCR2EN29 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 2.9V - 1 0.21V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
74HC259D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC259d 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 74HC259 Estándar 2V ~ 6V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 D-Type, dirccionable 5.2MA, 5.2MA 1: 8 1 22ns
TC74LCX373FTELM Toshiba Semiconductor and Storage Tc74lcx373ftelm -
RFQ
 ECAD 8369 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LCX373 Tri-estatal 1.65V ~ 3.6V 20-TSOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Pestillo de Tipo D 24 Ma, 24 Ma 8: 8 1 1.5ns
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7107FN (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TB7107 20V Atenuable PS-8 (2.9x2.4) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 380 kHz Positivo Si 2A 0.8V 18V 4.5V
TC7MBL3257CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3257CFK (EL) 0.3136
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7MB Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-VFSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Multiplexor/demultiplexor TC7MBL3257 1.65V ~ 3.6V 16-VSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 - Suminio Único 4 x 2: 1 1
TC7WPB9306FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9306FC (TE85L 0.5200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7WP Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-xfdfn almohadilla exposición Interruptor de Autobús TC7WPB9306 1.65V ~ 5V, 2.3V ~ 5.5V CST8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 - Suministro dual 2 x 1: 1 1
TC7SH00FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH00FU, LJ (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7sh00 1 2V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand 8 ma, 8 ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TA76431AS(T6MURAFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431A (T6MURAFM -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - - - - LSTM descascar 1 (ilimitado) TA76431AST6MURAFM EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM18A, LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2718 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR5AM Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xdfn TCR5AM18 5.5V Fijado 5-DFNB (1.2x1.2) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 55 µA Permiso Positivo 500mA 1.8V - 1 0.43V @ 500 Ma 90dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre Temperatura, Bajo Bloqueo de Voltaje (Uvlo)
TCR3DM35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM35, LF (SE 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-TCR3DM35LF (SETR EAR99 8542.39.0001 10,000 Permiso Positivo 300mA 3.5V - 1 0.23V @ 300mA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC74VHC10FTEL Toshiba Semiconductor and Storage Tc74vhc10ftel -
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC74VHC Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74VHC10 3 2V ~ 5.5V 14-TSOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Puerta de Nand 8 ma, 8 ma 2 µA 3 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TA58M05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05F (TE16L1, NQ -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TA58M05 29V Fijado Moldeado - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 1 MA 80 Ma - Positivo 500mA 5V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TBD62786APG Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62786apg 1.8200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62786 Invertido Canal P 1: 1 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 2V ~ 50V Encendido/apaguado 8 - Lado Alto 1.6ohm 0V ~ 50V Propósito general 400mA
TCR2EE335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE335, LM (CT 0.0680
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE335 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.35V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TC7SZ32F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ32F, LJ (CT 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - 7SZ32 1 1.8v ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 O Puerta 32MA, 32MA 2 µA 2 4.5ns @ 5V, 50pf - -
TCR3DF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF12, LM (CT 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR3DF Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TCR3DF12 5.5V Fijado SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Permiso Positivo 300mA 1.2V - 1 0.62V @ 300 Ma 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TD62003AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62003AFG, N -
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Conductor TD62003 0V ~ 50V 16-SOP - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 - 7/0 - -
TD62003AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62003AFG, N, EL -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Conductor TD62003 0V ~ 50V 16-SOP - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 - 7/0 - -
TMP86FHDMG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FHDMG (KYZ) -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TLCS-870/C Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 30-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) TMP86 30-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.31.0001 10 24 870/c De 8 bits 16MHz I²C, Sei, Uart/Usart PWM, WDT 16kb (16k x 8) Destello - 512 x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 6x10b Interno
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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