SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Productora Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) Ritmo Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Número de Entradas Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Número de Salidas Reiniciar Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Número de Voltajes Monitoreados Voltaje - Umbral Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TC7W02FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage Tc7w02fute12lf -
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7W Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) - 7w02 2 2V ~ 6V 8-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Ni Puerta 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
TC7SU04F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SU04F, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 634 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SU Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - 7SU04 1 2V ~ 6V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Inversor 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.7v ~ 4.8v
TD62003AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62003AFG, N, EL -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Conductor TD62003 0V ~ 50V 16-SOP - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 - 7/0 - -
TD62783APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62783APG, J, S -
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Conductor TD62783 5V 18 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 20 - 8/0 - -
TC4SU11F(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC4SU11F (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC4S Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 - TC4SU11 1 3V ~ 18V SMV - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand 3.4MA, 3.4MA 1 µA 2 50ns @ 15V, 50pf 1v ~ 3V 4V ~ 12V
TD62003APG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62003APG, N -
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) Conductor TD62003 0V ~ 50V 16 Dipp - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 25 - 7/0 - -
TCTH022BE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCTH022BE, LF (CT 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcth0xxxe Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Térmico Drenaje Abierto o Coleccionista Abierto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.000 - 1 0.5V
TC7SH126FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH126FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SH126 - De 3 estados 2V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TMPM4G9FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FDFG (DBB) 11.5500
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX04 Banda Activo -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Tmpm4g9 100-LQFP (14x14) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32 bits de un solo nús 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, por, WDT 512kb (512k x 8) Destello 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; D/a 2x8b Interno
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125, LF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 1.25V - 1 0.55V @ 150 Ma - SOBRE LA CORRIENTE
TA76431S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S, T6F (J -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA76431 - Atenuable LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495V 36V 1 - - -
74VHC02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74vhc02ft 0.4000
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74 VHC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74VHC02 4 2V ~ 5.5V 14-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Ni Puerta 8 ma, 8 ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
TC7SH34F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F, LJ (CT 0.0721
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SH Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TC7SH34 - Empuje 2V ~ 5.5V SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
TBD62083AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG, EL 1.3600
RFQ
 ECAD 8193 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) - TBD62083 Invertido N-canal 1: 1 18-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 Sin requerido Encendido/apaguado 8 - Lado Bajo - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TB6633FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6633fng, el -
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 24-LSSOP (0.220 ", 5.60 mm de Ancho) TB6633 Potencia Mosfet 5.5V ~ 22V 24-ssop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Cosa Análoga Medio Puente (3) 1A 5.5V ~ 22V - DC Sin Escobillas (BLDC) -
KIA78DL08PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL08PI -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Activo Kia78 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 50
TC75S101FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage TC75S101FE, LM (T -
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TC75S101 63 µA - 1 ESV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 0.15V/µs 1.5 Ma Propósito general 0.1 PA 1.2 MV 1.5 V 5.5 V
TMPM4GNFDFG Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm4gnfdfg -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TXZ+ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 100 LQFP 100-LQFP (14x14) descascar 264-TMPM4GNFDFG 1 91 ARM® Cortex®-M4F De 32 bits 200MHz Ebi/emi, fifo, i²c, irda, sio, spi, uart/usart DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 512kb (512k x 8) Destello 32k x 8 192k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12B SAR; D/a 2x8b Externo, interno
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S, Q (J -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58M15 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.4 Ma 80 Ma - Positivo 500mA 15V - 1 0.65V @ 500 Ma - Sobre La Corriente, Sobre La Temperatura, La Polaridad Inversa
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62208ftg, 8, el -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB62208 DMOS 4.5V ~ 5.5V 48-Qfn (7x7) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (4) 1.8a 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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