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Circuitos Integrados (ICS) (847)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Gd25r128esigr | 1.5448 |  | 3775 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25R | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-gd25r128esigrtr | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD25WQ128SIGR | 2.2300 | | 5531 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 8 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 µs, 4 ms | |||||
| GD5F2GQ5RFZIGY | 4.3225 | | 4426 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | - | 1970-gd5f2gq5rfzigy | 4.800 | |||||||||||||||||||||
| GD25LT512MEF2RY | 8.7046 | | 2275 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LT512MEF2RY | 1.760 | 200 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD5F4GQ6UEY2GY | 10.4671 | | 1509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-gd5f4gq6uey2Gy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 1g x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25LQ64EQEGREG | 1.2496 | | 5677 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-gd25lq64eqegrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4ms | |||||||
| GD55LT01Gey2Gy | 16.9841 | | 7137 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD55LT01Gey2Gy | 4.800 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | |||||||||
| Gd25b256efigr | 2.3755 | | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | 1970-GD25B256Efigrtr | 1,000 | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
| Gd25d40ekigr | 0.3318 | | 4259 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25D | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (1.5x1.5) | descascar | 1970-gd25d40ekigrtr | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Dual I/O | 50 µs, 4ms | |||||||
| Gd55x01gefirr | 13.2372 | | 1651 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 1970-gd55x01gefirrtr | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - E/S Octal, DTR | - | ||||||||
| Gd25le128eqigr | 1.3702 | | 1579 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-gd25le128eqigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| GD25Q32EEGIG | 0.6843 | | 7928 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25Q32EEGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd5f2gq5reyigr | 4.1912 | | 3314 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gq5reyigrtr | 3.000 | 80 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 11 ns | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||||
| GD25Q64EYJGR | 1.0249 | | 8062 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-GD25Q64EyJgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 7 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 140 µs, 4 ms | |||||||
| Gd25b32esigr | 0.6115 | | 2604 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25b32esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lq20esigr | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lq20esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lq40esigr | 0.3619 | | 2530 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-gd25lq40esigrtr | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
 | Gd25q20ceigr | 0.5700 | | 15 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25Q20 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25Q16EIGR | 0.8200 | | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
| Gd25f256fbiry | 2.3163 | | 1615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-gd25f256fbiry | 4.800 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD55LB01GEB2RY | 13.4000 | | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lb | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LB01GEB2RY | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 140 µs, 2 ms | |||||||
| Gd25lq16etigr | 0.8200 | | 3644 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||
| Gd5f2gm7reyigy | 3.6575 | | 6597 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 1.7v ~ 2v | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f2gm7reyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 2 GBIT | 9 ns | Destello | 512m x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 µs | |||||||
| GD25Q256EWJGR | 2.8771 | | 5497 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25q256ewjgrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| Gd25f128esigr | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 1970-gd25f128esigrtr | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | GD25Q32CWIGR | 0.8900 | | 17 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | GD25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
| GD25LB32ES2GR | 0.9968 | | 1616 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LB32ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25lb128ewigr | 1.4109 | | 1554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25lb128ewigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| Gd25le128ewjgy | 1.5901 | | 1919 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25le | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25le128ewjgy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | |||||||
| Gd25ld80etigy | 0.3167 | | 7655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25ld | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | 1970-gd25ld80etigy | 4,320 | 50 MHz | No Volátil | 8mbit | 12 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms |
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