- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W256GH7An6e | - |  | 8097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
| N25Q128A13E1440E | - | | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| N25Q128A13E1441E | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| M58WR032KB70ZB6Z | - | | 3540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58WR032 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | |
| MT46H128M16LFB7-5 AIT: B TR | - | | 6013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT41K512M16TNA-125 IT: E | - | | 3011 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 13.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |
| MT42L128M64D2MC-25 WT: A | - | | 2870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 240 WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 240-FBGA (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT42L256M32D2LG-25 WT: A | - | | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 168-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 400 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | ||
| MT46H256M32L4JV-5 WT: B | - | | 5551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 8 gbit | 5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT46H256M32R4JV-5 WT: B | - | | 5690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 8 gbit | 5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mtfc64gjvdn-4m it | - | | 4087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| Nand256w3a0bn6f tr | - | | 6763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand256 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 256Mbit | 50 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 50ns | ||
 | JS28F256M29EWHD | - | | 5766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 110ns | ||
 | M25P128-VME6GB | - | | 6983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25P128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 54 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||
| MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR | - | | 3504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 8 (nand), 32m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||
 | MT29F1G08ABAEAWP-IT: E TR | 3.2000 | | 23 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | |||
| MTFC16GLTDV-WT TR | - | | 8913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||
| EDFP164A3PB-JD-FD | - | | 7357 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | EDFP164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | Paralelo | - | ||
| EMFA232A2PF-DV-FD | - | | 6321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | EMFA232 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.680 | ||||||||||||||||
| MT29F128G08EBEBBWP: B TR | - | | 4575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F256G08ABBK7-12: B TR | - | | 1041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F64G08CBCBBH1-10X: B TR | - | | 5826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 100 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||
| Mt29f6t08ethbbm5-3res: b tr | - | | 1662 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F6T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 6tbit | Destello | 768g x 8 | Paralelo | - | ||
| MT29F8G08ABABAWP-AITX: B TR | - | | 7074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT42L128M32D1TK-25 AAT: A TR | - | | 3354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-WFBGA | MT42L128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | - | |||
| MT51J256M32HF-80: A TR | - | | 5860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 2 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||
| MT53B384M64D4EZ-062 WT: B TR | - | | 6517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||
 | MT52L512M32D2PF-107 WT: B TR | 24.1050 | | 2225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L512 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||
 | MT40A512M16JY-083E AUT: B TR | - | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT4A2G8NRE-83E: B | - | | 7505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Mt4a2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.020 |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)