SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F2T08EELCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-M: C 41.9550
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08EELCHD4-M: C 1
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B 14.7000
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: B 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 512m x 32 Paralelo 18ns
MT40A1G16TD-062E AUT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT: F 22.8450
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062AUT: F 1 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 1g x 16 Vana 15ns
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR 47.8950
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT 3.5 ns Dracma 768m x 64 Paralelo 18ns
MT53E2G64D8TN-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR 92.3100
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-LFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR 2,000 2.133 GHz Volante 128 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 64 Paralelo 18ns
MT53E1G32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: A 27.1500
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT: A 1 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo 18ns
MT25QU256ABA8E12-MAAT Micron Technology Inc. Mt25qu256aba8e12-maat 5.6268
RFQ
ECAD 6403 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Flash - Nor (SLC) 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - 557-mt25qu256aba8e12-maat 1 166 MHz No Volátil 256Mbit 5 ns Destello 32m x 8 SPI - Quad I/O 1.8ms
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR 86.2050
RFQ
ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 96 GBIT Dracma 3G x 32 Paralelo -
MT60B1G16HC-56B:G Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-56B: G 19.0650
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 102-vfbga SDRAM - DDR5 - 102-vfbga (9x14) - 557-MT60B1G16HC-56B: G 1 2.8 GHz Volante 16 gbit 16 ns Dracma 1g x 16 Vana -
MTFC64GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gaxauea-wt tr 7.2600
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - Flash - Nand (SLC) - - - 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR 2,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 UFS2.2 -
MT61M512M32KPA-14 AAT:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 AAT: C 42.1050
RFQ
ECAD 3106 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C 1
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X Micron Technology Inc. MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 40.8150
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X 1
MT62F2G32D4DS-023 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR 58.0650
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: CTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 Paralelo -
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: C TR 64.0350
RFQ
ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - ROHS3 Cumplante 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: CTR 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT 3.5 ns Dracma 768m x 64 Paralelo 18ns
MTFC4GACAALT-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAALT-4M IT TR 5.6500
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 100 TBGA Flash - nand 100 TBGA (14x18) - Cumplimiento de Rohs 3277-MTFC4GACAALT-4MITTR 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 EMMC_4.5
MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 WT: B TR 23.5200
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 432-vfbga MT53E512 432-vfbga (15x15) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E512M64D2NW-046WT: BTR 2,000
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-046 IT: E TR -
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT53E512M64D4NW-046IT: ETR Obsoleto 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT: B TR -
RFQ
ECAD 7323 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 432-vfbga MT53E512 432-vfbga (15x15) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E512M64D2NW-046IT: BTR 2,000
MTFC32GAZAQHD-AAT Micron Technology Inc. Mtfc32gazaqhd-aat 19.0800
RFQ
ECAD 1706 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-vfbga (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1.520 200 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT62F2G32D4DS-023 FAAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C TR 63.8550
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: CTR 2,000
MTFC16GAPALGT-S1 IT Micron Technology Inc. Mtfc16gapalgt-s1 it 17.6400
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Caja Activo - Montaje en superficie 153-TFBGA Flash - Nand (SLC) - 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC16GAPALGT-S1IT 1 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 EMMC_5.1 -
MT53E2D1BFW-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BFW-DC 22.5000
RFQ
ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2D1BFW-DC 1.360
MT42L64M64D2MP-25 IT:A Micron Technology Inc. Mt42l64m64d2mp-25 it: a -
RFQ
ECAD 7307 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-WFBGA MT42L64M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 64m x 64 Paralelo -
MT53E2DCDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DCDS-DC 22.5000
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 557-MT53E2DCDS-DC 1.360
MT40A2G16SKL-062E:B Micron Technology Inc. MT40A2G16SKL-062E: B -
RFQ
ECAD 1953 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A2G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 557-MT40A2G16SKL-062E: B Obsoleto 8542.32.0071 190 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 2G x 16 Paralelo -
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-046 AIT: A -
RFQ
ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E128M16D1DS-046AIT: A Obsoleto 1.360 2.133 GHz Volante 2 GBIT Dracma 128m x 16 - -
MT40A8G4BAF-062E:B Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E: B -
RFQ
ECAD 5484 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (10.5x11) - 557-MT40A8G4BAF-062E: B Obsoleto 8542.32.0071 168 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 8g x 4 Paralelo -
MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 27.4375
RFQ
ECAD 8446 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo - 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 1.520
MTFC32GASAONS-AAT Micron Technology Inc. MTFC32Gasaons-AAT 23.2950
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 153-TFBGA Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32Gasaons-AAT 1 52 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 UFS2.1 -
MT41K128M16JT-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT: K 7.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT41K128M16JT-107AAT: K EAR99 8542.32.0036 1.224 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 128m x 16 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock