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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F2T08EELCHD4-M: C | 41.9550 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M: C | 1 | |||||||||||||||||||||
MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B | 14.7000 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
![]() | MT40A1G16TD-062E AUT: F | 22.8450 | ![]() | 3279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062AUT: F | 1 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | 15ns | |||||||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR | 47.8950 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR | 92.3100 | ![]() | 8633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
MT53E1G32D2FW-046 IT: A | 27.1500 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||||
Mt25qu256aba8e12-maat | 5.6268 | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | 557-mt25qu256aba8e12-maat | 1 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | 5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | ||||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR | 86.2050 | ![]() | 7352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 3G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
![]() | MT60B1G16HC-56B: G | 19.0650 | ![]() | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 102-vfbga | SDRAM - DDR5 | - | 102-vfbga (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-56B: G | 1 | 2.8 GHz | Volante | 16 gbit | 16 ns | Dracma | 1g x 16 | Vana | - | |||||||
![]() | Mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Flash - Nand (SLC) | - | - | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WTTR | 2,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.2 | - | |||||||||
![]() | MT61M512M32KPA-14 AAT: C | 42.1050 | ![]() | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X | 40.8150 | ![]() | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR | 58.0650 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
MT53E768M64D4HJ-046 AAT: C TR | 64.0350 | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
![]() | MTFC4GACAALT-4M IT TR | 5.6500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 100 TBGA | Flash - nand | 100 TBGA (14x18) | - | Cumplimiento de Rohs | 3277-MTFC4GACAALT-4MITTR | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | EMMC_4.5 | ||||||||||
MT53E512M64D2NW-046 WT: B TR | 23.5200 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53E512 | 432-vfbga (15x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M64D2NW-046WT: BTR | 2,000 | |||||||||||||||
MT53E512M64D4NW-046 IT: E TR | - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT53E512M64D4NW-046IT: ETR | Obsoleto | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||||
MT53E512M64D2NW-046 IT: B TR | - | ![]() | 7323 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53E512 | 432-vfbga (15x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M64D2NW-046IT: BTR | 2,000 | |||||||||||||||
![]() | Mtfc32gazaqhd-aat | 19.0800 | ![]() | 1706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1.520 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C TR | 63.8550 | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | Mtfc16gapalgt-s1 it | 17.6400 | ![]() | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
![]() | MT53E2D1BFW-DC | 22.5000 | ![]() | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
![]() | Mt42l64m64d2mp-25 it: a | - | ![]() | 7307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 220-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 220-FBGA (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 64m x 64 | Paralelo | - | ||||
![]() | MT53E2DCDS-DC | 22.5000 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | MT53E2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2DCDS-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT40A2G16SKL-062E: B | - | ![]() | 1953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A2G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A2G16SKL-062E: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 190 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 2G x 16 | Paralelo | - | ||
![]() | MT53E128M16D1DS-046 AIT: A | - | ![]() | 7913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-046AIT: A | Obsoleto | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
MT40A8G4BAF-062E: B | - | ![]() | 5484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10.5x11) | - | 557-MT40A8G4BAF-062E: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 168 | 1.6 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | |||||
![]() | MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 | 27.4375 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 | 1.520 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC32Gasaons-AAT | 23.2950 | ![]() | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC32Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
MT41K128M16JT-107 AAT: K | 7.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K128M16JT-107AAT: K | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.224 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns |
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