SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT58L64L18DT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 MHz Volante 1 mbit 5 ns Sram 64k x 18 Paralelo -
MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHBFJ4-T: B TR -
RFQ
 ECAD 5259 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T: BTR Obsoleto 8542.32.0071 2,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc. ECF840AAACN-C1-Y3 -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto ECF840A SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1 Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT53E1G16D1FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 WT: A 11.9850
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G16D1FW-046WT: A 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 18ns
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.008 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR 32.5650
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT: C 48.1050
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: C 1
MT42L128M32D1GU-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1GU-25 WT: A TR -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-WFBGA MT42L128M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-its: E TR 4.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-062 XT: B TR -
RFQ
 ECAD 8517 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 366-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 - -
MT58L512L18PS-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-7.5TR 10.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz Volante 8mbit 4 ns Sram 512k x 18 Paralelo -
EDS6432AFTA-75TI-E-D Micron Technology Inc. EDS6432AFTA-75TI-ED -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.080
MT58L64L32DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-7.5TR 5.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz Volante 2 mbit 4 ns Sram 64k x 32 Paralelo -
MT29F8T08ESLEEG4-QD:E Micron Technology Inc. Mt29f8t08esleeg4-qd: e 211.8900
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-mt29f8t08esleeg4-qd: e 1
MT53E512M32D1NP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1NP-046 WT: B 11.7600
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E512 200-WFBGA (10x14.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E512M32D1NP-046WT: B 1.360
MT61M256M32JE-12 AAT:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 AAT: A -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 180-TFBGA MT61M256 SGRAM - GDDR6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) descascar EAR99 8542.32.0071 1.260 1.5 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT58L256L36FS-10TR Micron Technology Inc. MT58L256L36FS-10TR 13.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 500 66 MHz Volante 8mbit 10 ns Sram 256k x 36 Paralelo -
MTFC4GMUEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc4gmuea-wt -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
M29W320DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29W320DT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
N25W128A11EF740E Micron Technology Inc. N25W128A11EF740E -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25W128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI -
M29W160ET70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.800 No Volátil 16mbit 70 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 70ns
MT41K256M16HA-125 V:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 V: E TR -
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 4 gbit 13.75 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 AIT: E TR -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 4 gbit 13.75 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT29F4G16ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC: D TR -
RFQ
 ECAD 6638 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT41K2G4RKB-107 C:N Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 C: N -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT41K2G4RKB-107C: N Obsoleto 1.440 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 2G x 4 Paralelo 15ns
MTFC64GJVDN-3F WT Micron Technology Inc. Mtfc64gjvdn-3f wt -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC64 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT29F64G08CBABAL84A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAL84A3WC1 -
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MTFC128GAJAECE-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-AT TR -
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC128 Flash - nand - 169-LFBGA (14x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 16.7100
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 1
MT29F4G01ABBFDWB-IT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFDWB-IT: F 4.2200
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn MT29F4G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8 updfn (8x6) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.920 83 MHz No Volátil 4 gbit Destello 4g x 1 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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