- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M32D2DS-046 WT: F | 30.7500 |  | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: F | 136 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||||
 | MT40A512M16TD-062E AUT: R | - | | 5279 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A512M16TD-062AUT: R | 1 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | MT29F2G08ABBEAHC-IT: E | 4.2400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D768M32D2NP-046 WT: A TR | - | | 7868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 557-MT53D768M32D2NP-046WT: ATR | Obsoleto | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR | - | | 7386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-WFBGA (8x9.5) | descascar | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR | Obsoleto | 2,000 | No Volátil, Volátil | 4 gbit | 25 ns | Flash, ram | 512m x 8 | Onde | 30ns | |||||||
 | MT25QL128ABB8E12-CAUT TR | 4.7277 | | 4594 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | 557-MT25QL128ABB8E12-CAUTTR | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | |||||||
 | MT53E256M16D1DS-046 WT: B TR | 7.4850 | | 4759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M16D1DS-046WT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | - | - | |||||
 | MT29F128G08CFABBWP-12IT: B TR | - | | 9066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
 | M25PE80-VMN6TP TR | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| MTFC128GASAONS-IT TR | 67.0200 | | 3370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC128GASAONS-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT60B2G8HB-56B: G TR | 19.0650 | | 8549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT60B2G8HB-56B: GTR | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QJ: C | 78.1500 | | 9883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NW-046 WT ES: E TR | - | | 3128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT53E1G32D4NQ-046 WT: F | - | | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E1G32D4NQ-046WT: F | Obsoleto | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | |||||||
 | MT29E2T08CTCCBJ7-6: C TR | - | | 1433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29E2T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | |||
| M45PE80-VMW6TG TR | - | | 2150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M45PE80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| N25Q064A13EW7D0F TR | - | | 9459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT29F2G16ABAGAWP-AISES: G | 5.0400 | | 6094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G16 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
 | MTFC2GMVEA-0M WT TR | - | | 6002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc2g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AUT: C | - | | 7681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| Mtfc16gjtec-4m it | - | | 1485 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT62F2G32D4DS-023 AUT: B TR | 73.4400 | | 2186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| Mt29f8t08esleeg4-qd: e tr | 211.8900 | | 2021 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-mt29f8t08esleeg4-qd: ETR | 1.500 | |||||||||||||||||||||
| MTFC16GAPALGT-S1 AAT | 19.2750 | | 3951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1AAT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT29F1T08EEHBFJ4-R: B | - | | 8187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R: B | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT61M256M32JE-12 NIT: A TR | - | | 4970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | SGRAM - GDDR6 | 1.2125V ~ 1.325V | 180-FBGA (12x14) | descascar | 557-MT61M256M32JE-12NIT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Pod125 | - | |||||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AIT: A TR | 93.4500 | | 1608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT62F768 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT62F768M64D4EJ-031AIT: ATR | 1.500 | |||||||||||||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AAT: C | 32.0250 | | 9165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A4G4VA-062E: B | - | | 5577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT48LC2M32B2P-5: J TR | - | | 4925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 4.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)