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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E2G32D4DE-046 WT: A | 47.4300 |  | 7967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| Mtfc64gazaotd-aat | 36.8700 | | 4462 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MTFC64GAZAOTD-AAT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MTFC256GaxAUEA-WT | 27.5700 | | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GaxAUEA-WT | 1 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | UFS | - | |||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B | 122.7600 | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-M: C | 39.0600 | | 5714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-M: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-053 AAT: A TR | - | | 8911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AAT: ATR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | ||||||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AITES: G TR | 3.5998 | | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F2G08ABAGAH4-AISES: GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D512M32D2DS-046 WT: F | 30.7500 | | 4687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D512M32D2DS-046WT: F | 136 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||||
| MT46H64M32L2JG-6: A TR | - | | 4596 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F8T08EULCHD5-M: C | 167.8050 | | 2655 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-M: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E256M32D1KS-046 AAT: L TR | 15.0700 | | 9427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: LTR | 1 | |||||||||||||||||
 | MT41J128M16JT-093: K TR | - | | 7015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
| Mt29f16g16adacah4: c | - | | 6576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F16G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3277-mt29f16g16adacah4: c | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 1g x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT48LC2M32B2P-5: J TR | - | | 4925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 4.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | ||
 | MT53E512M64D2NZ-46 WT: B TR | 26.1150 | | 8870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 376-WFBGA (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E512M64D2NZ-46WT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 512m x 64 | Paralelo | 18ns | ||||
| MT53E1536M32D4DE-046 AIT: B TR | 44.2350 | | 6216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | |||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AUT: C | 103.8600 | | 5181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 AUT: B | 55.0800 | | 4860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AUT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | Mt29f4g08abadah4-ite: D | - | | 4349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT62F1G16D1DS-023 IT: B | 12.5550 | | 7359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G16D1DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | ||||||||
| MT42L128M64D2LN-18 WT: A | - | | 9341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | ||||
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT: F | - | | 5515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT: F | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT46V32M16CY-5B AAT: J | - | | 8597 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MTFC4GLMDQ-AIT A | 13.9700 | | 3282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MTFC4GLMDQ-ATA | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
| M25P10-AVMB3TP/Y TR | - | | 6605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | M25P10 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-UFDFPN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT29F1T08EELCEJ4-R: C | - | | 2446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08EELCEJ4-R: C | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | MT46H16M32LFCX-5: B TR | - | | 7276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | M25P64-VMF3TPB TR | - | | 4559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | M25P64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT29F8T08EWLGEM5-ITF: G TR | 304.1700 | | 5173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF: GTR | 1.500 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R: E | 42.9300 | | 7238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R: E | 1 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - |
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