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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F512G08CMECBH7-12: C TR | - |  | 9862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT44K32M36RB-083F: A TR | - | | 8787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M36 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 6.67 ns | Dracma | 32m x 36 | Paralelo | - | |||
| MT53E4G32D8CY-046 WT: C TR | 90.4650 | | 6905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8CY-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D TR | - | | 2991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT40A512M8RH-075E: B TR | - | | 9458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 78.1500 | | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | N25Q512A11GSF40G | - | | 4690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q512A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 128m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||
 | M25P10-AVMN6P | - | | 4553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P10 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT41K128M8DA-107: J TR | 5.0100 | | 214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | - | |||
| EDF8164A3PK-JD-FR TR | - | | 3705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | Edf8164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | ||||
 | PC28F00AP33EF0 | - | | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F00A | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | No Volátil | 1 gbit | 95 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 95ns | |||
 | Mtfc2gmxea-wt tr | - | | 6441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C | 33.8100 | | 874 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 16 gbit | 20 ns | Destello | 2G x 8 | Onde | 20ns | |||
 | Nand08gw3c2bn6e | - | | 6298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand08g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand08gw3c2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8 gbit | 25 ns | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | |||
| PF48F4000P0ZTQE3 | - | | 6201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 88-vfbga, cspbga | 48F4000P0 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-SCSP (8x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
| PC28F256P33B85A | - | | 1408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 85 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
| MT47H256M8THN-25E IT: H | - | | 9205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| N28H00CB03JDK11E | - | | 7241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||||||
 | MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR | - | | 1661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU02 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Autobús xcela | - | ||||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | | 3184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
| M29W640FB70N6F TR | - | | 8475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| M29W128GH70N3E | - | | 9953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT46V32M16FN-5B: C | - | | 6386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | Mt48lc8m16a2p-7e it: l | - | | 7224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 14ns | |||
 | MT46V32M16P-5B: C TR | - | | 7362 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| M58LR256KT70ZQ5E | - | | 1774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 88-TFBGA | M58LR256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | 66 MHz | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MTFC4GACAJCN-1M WT TR | - | | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | Sin verificado | ||||
 | MT29F2T08EMHBFJ4-T: B TR | - | | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 1.7V ~ 1.95V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2T08MHBFJ4-T: BTR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR | - | | 1238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||||
| Mt46h1dama-dc tr | - | | 6391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT46H1D | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 |
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