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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JS28F256P30TFA | - |  | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 110ns | ||
 | MT53E128M32D2DS-046 AAT: A | 12.1200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E128M32D2DS-046AAT: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | ||
 | MT41K256M16TW-107 AIT: P TR | 8.1700 | | 9844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR | 49.5750 | | 3933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17YTR | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F1G08ABAFAH4-ITE: F | - | | 9994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 AIT: B | 58.0650 | | 4296 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AIT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT48LC8M8A2P-6A: J TR | - | | 9905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 8 | Paralelo | 12ns | ||
| MTFC32Gasaons-AT | 21.1800 | | 9495 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q104 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC32Gasaons-AT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-QC: C | 83.9100 | | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QC: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E128M16D1DS-053 AIT: A | - | | 9219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AIT: A | Obsoleto | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT: B | 86.2050 | | 6007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M29W400BB90N6 | - | | 3927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 90 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 90ns | |||
| MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | - | | 8086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT | - | | 7252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25QL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
| MT29F2T08EMLKEM4-ITF: K | 64.8000 | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF: K | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MTFC4GMVEA-1M WT | - | | 5700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Descontinuado en sic | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
| JS28F256M29EWHB TR | - | | 1297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 110ns | |||
| N25Q032A13EV140 | - | | 5949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT46V16M16P-6T: F | - | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| Nand512w3a2sza6f tr | - | | 3465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT ES: B TR | - | | 1328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
| M36L0R7050B4ZAQE | - | | 8877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | M36L0R7050 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | |||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QJ: E TR | 105.9600 | | 7278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3R: A TR | - | | 9248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F1T08EEHAFJ4-3R: ATR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08EMLGEJ4-ITF: G TR | 70.0350 | | 7558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLGEJ4-ITF: GTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | M25P80-VMW6TGBA TR | - | | 2843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P80 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT46H128M16LFDD-48 AIT: C | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 14.4ns | ||
| MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 | 21.6407 | | 8659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | 557-MT29vzzzad9gufsm-046w.213 | 1.520 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E1G64D8NW-053 WT: E | - | | 6939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | |||||||||
| M29F010B70N6E | - | | 3914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F010 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 1 mbit | 70 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 70ns |
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