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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B256M32D1NP-062 AAT: C TR | - |  | 6672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||
 | M25PX32-VMF6E | - | | 2423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | M25PX32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | M29W128GL7AZS6E | - | | 6619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| EDBA232B2PB-1D-FD | - | | 5881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | Edba232 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 533 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | |||
 | M25PX32-VZM6E | - | | 9945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | M25PX32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | Mtfc8glxea-wt | - | | 7452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | |||||
| Mt25qu128aba8e14-1sit | - | | 9033 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B TR | 83.7750 | | 2318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
 | MT47H128M16RT-25E: C | 14.6300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E TR | - | | 2760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: B | 31.9350 | | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT25QU01GBBB8E12-0AAT | 21.4400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Mt25qu01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D | - | | 6648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||||
 | MT35XU256ABA2G12-0AAT TR | - | | 9426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XU256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | MT28F400B3WG-8 T | - | | 9883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F400B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
| MT46H32M32LFCG-6 IT: A | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E1G16D1FW-046 AAT: A | 15.9600 | | 6318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT53E256M32D1KS-046 AIT: L TR | 11.6800 | | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046AIT: LTR | 1 | |||||||||||||||||
| MT47H64M16HR-25E AAT: H | - | | 3093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| M29W640GH70ZF6F TR | - | | 3350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT25QL01GBBBBBB1EW9-0SIT | 17.9500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25QL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
| M58BW016FB7T3T TR | - | | 9122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-BQFP | M58BW016 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 80-PQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 500 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 512k x 32 | Paralelo | - | |||
 | Mt46v16m8tg-6t it: d tr | 8.7400 | | 219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v16m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT41K256M16TW-107 AUT: P | 8.4000 | | 8947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MTFC32GAPALBH-AAT | - | | 2868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Mtfc32g | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MTFC64Gasaons-AAT | 41.4750 | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT53E128M16D1DS-053 IT: A TR | - | | 8662 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | 557-MT53E128M16D1DS-053IT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | |||||
| MT53E384M64D4NK-046 WT: E | - | | 3665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E384M64D4NK-046WT: E | Obsoleto | 119 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||||||
| MT46V16M16TG-75 IT: F | - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mt46v16m16cy-5b: m | - | | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns |
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