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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q032A13EV740 | - |  | 9325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT48H4M16LFB4-8 | - | | 4650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.9V | 54-vfbga (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 64 Mbbit | 6 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| M29W256GL7AN6E | - | | 3428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MTFC128Gasaons-AAT | 73.7250 | | 8085 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128Gasaons-AAT | 1 | 52 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT49H16M18FM-25: B | - | | 2659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT29F128G08CECBBH1-10: B | - | | 2093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT52L768M32D3PU-107 WT: B | - | | 2712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT52L768 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | |||
 | Mt29f4g16abadawp: d tr | - | | 7039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | PC28F256J3D95A | - | | 8381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | No Volátil | 256Mbit | 95 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 95ns | |||
| MT53B2G32D8QD-062 WT: D | - | | 3185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53B2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||||
 | MT46H16M32LFCX-5: B | - | | 4097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| EDF8164A3MD-GD-FR | - | | 1529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | Edf8164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | - | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | |||||
| N25Q032A13EV7A0 | - | | 2606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - | - | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| N2M400GDB321A3CF TR | - | | 5585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | N2M400 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 52 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT47H64M16BT-3: A TR | - | | 2969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 92-FBGA (11x19) | descascar | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC16GLXAM-WT TR | - | | 9307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT46V32M16BN-75 IT: C TR | - | | 9696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT41K256M16ly-107: N TR | - | | 9961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | M29W064FB70N3E | - | | 2168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT53E512M32D2NP-046 | - | | 1305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||||
 | M25P20-VMN6T TR | - | | 5587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P20 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| MT47H128M4B6-25E: D TR | - | | 1871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H128M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 128m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H16M32LFB5-5 IT: C | - | | 7100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.440 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT45W1MW16BDGB-708 WT TR | - | | 5149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT29F128G08AMCABH2-10ITZ: A | - | | 1321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
| Mt42l192m32d3le-3 it: a | - | | 3943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT42L192M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 6 gbit | Dracma | 192m x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y | 49.5750 | | 2615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17Y | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT: BTR | 1.500 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| M29W320DT90N6 | - | | 2151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 90ns | |||
| MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | Obsoleto | 1 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - |
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