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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT54V512H18EF-10 | 19.2500 |  | 147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT54V512 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||||
| MT57W1MH18CF-4 | 30.4500 | | 587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volante | 18mbit | 450 ps | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | ||||
 | MT58L256L36DS-6 | 8.5300 | | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L256L36 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 8mbit | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT58L256L18F1T-10IT | 6.5800 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||||
| MT58L64L36PT-7.5 | 4.2600 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volante | 2 mbit | 4 ns | Sram | 64k x 36 | Paralelo | - | ||||
| MT57W2MH8CF-4 | 28.3700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volante | 18mbit | 450 ps | Sram | 2m x 8 | Hstl | - | ||||
| MT58L64L18FT-8.5 | 5.4600 | | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L64L18 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volante | 1 mbit | 8.5 ns | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | |||
| MT58L64L32FT-10 | 3.7900 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L64L32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT54V1MH18EF-7.5 | - | | 4730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | |||||||
 | MTFC32GAZAQHD-WT TR | 14.3400 | | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
| MTFC128GAXAUEA-WT TR | 14.0250 | | 5269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 39.0600 | | 5527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QA: E TR | 105.9600 | | 8564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QA: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| Mtfc32gasaons-it tr | 20.8050 | | 2712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC32Gasaons-ITTR | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
| MT29F2G01ABAGD12-AUT: G | 3.2005 | | 6152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT: G | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT53E4D1ABA-DC TR | 22.5000 | | 4923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E4 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E4D1ABA-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT40A8G4CLU-075H: E | - | | 9601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 557-MT40A8G4CLU-075H: E | Obsoleto | 8542.32.0071 | 210 | 1.33 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 27 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | |||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 2.7962 | | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 8542.32.0071 | 1.122 | 83 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | Sin verificado | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT: B | 94.8300 | | 3945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | |||||||||
 | Mtfc16gakaena-4m it | - | | 5346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MTFC16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.9V | 100 TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | Mt29f4g01aaaddhc: D | - | | 6920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 4g x 1 | SPI | - | |||||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT: D | - | | 4416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: D | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
 | M29W640GB70ZS6F TR | - | | 7423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||||
| MT52L256M64D2PD-107 WT: B TR | - | | 1448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 216-FBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
| MT62F1G64D4ZV-023 WT: B | 37.2450 | | 7877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: B | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT: C TR | 64.9800 | | 6952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
| MT62F1G32D4DS-031 WT: B TR | 23.3100 | | 6157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| MT55V512V36FT-10 | 17.3600 | | 620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT55V512V | Sram - Sincónnico, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 18mbit | 7.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT58L256L32DT-7.5 | 4.6200 | | 80 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L256L32 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 32 | Paralelo | - | |||
| MT29E256G08CMCDBJ5-6: D TR | - | | 9478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-TBGA | MT29E256G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - |
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