SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 WT: D -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53D1024M32D4DT-046WT: D EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AAT: G TR 2.7962
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F2G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
EDB5432BEBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DIT-FD -
RFQ
ECAD 9384 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-vfbga EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-vfbga (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1.680 533 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
M29F400FB55M32 Micron Technology Inc. M29F400FB55M32 -
RFQ
ECAD 2963 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 240 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MT53D4DCSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCSB-DC -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.190
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT: D -
RFQ
ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (10.5x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 4 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT28EW128ABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc. Mt28ew128aba1ljs-0sit 7.7600
RFQ
ECAD 524 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Mt28ew128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 128 Mbbit 95 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 60ns
MT48LC16M8A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A: L -
RFQ
ECAD 8037 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1.080 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 16m x 8 Paralelo 12ns
MT46H16M16LFBF-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT: A -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H16M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
EDBM432B3PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBM432B3PF-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 9151 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-vfbga Edbm432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 Paralelo -
N25Q256A33EF840F Micron Technology Inc. N25Q256A33EF840F -
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q256A33 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12: B -
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E TR 5.1300
RFQ
ECAD 642 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MTFC64GBCAQTC-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AAT TR 24.5000
RFQ
ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MTFC64GBCAQTC-AATTR 2,000
MT46V64M8P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B AIT: J TR -
RFQ
ECAD 3012 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
M29W800DB45ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DB45ZE6E -
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 1.122 No Volátil 8mbit 45 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 45ns
MT46V32M16BN-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B: F TR -
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-10Z: A -
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 100 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 WT: B TR -
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 240 WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 4 gbit 5 ns Dracma 128m x 32 Paralelo 15ns
MT46H256M32L4LE-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H256M32L4LE-48 WT: C -
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-TFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.008 208 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 14.4ns
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8SQ-053 WT ES: E -
RFQ
ECAD 7815 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-vfbga MT53D1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-vfbga (12.4x12.4) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT41K64M16TW-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107: J TR 5.0100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 933 MHz Volante 1 gbit 20 ns Dracma 64m x 16 Paralelo -
MT46H32M32LFT68MWC2 Micron Technology Inc. MT46H32M32LFT68MWC2 -
RFQ
ECAD 7901 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V - Obsoleto 0000.00.0000 1 Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEEDBJ4-12IT: D TR -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT47H256M8THN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3 IT: H -
RFQ
ECAD 1591 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 2 GBIT 450 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G TR 2.7665
RFQ
ECAD 9629 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G16 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT: GTR 2,000 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT46V32M16P-5B IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B IT: F TR -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MTEDFAE4SCA-1P2 Micron Technology Inc. MDFAE4SCA-1P2 -
RFQ
ECAD 3466 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Activo Mtedfae4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 150
MT46V32M8FG-6 L:G Micron Technology Inc. Mt46v32m8fg-6 l: g -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-FBGA Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B TR -
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock