SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT46V64M8CY-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B: J TR 5.6400
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
PC28F128P33B85D Micron Technology Inc. PC28F128P33B85D -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F128 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
M25P05-AVMB6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMB6TP TR -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Micron Technology Inc. - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-Ufdfn Padera Expunesta M25P05-A Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (2x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 50 MHz No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT48V8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc. Mt48v8m32lff5-8 it TR -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48V8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 2.3V ~ 2.7V 90-vfbga (8x13) - Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 125 MHz Volante 256Mbit 7 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18: B TR 53.2200
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AIT: B TR 14.7000
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 512m x 32 Paralelo 18ns
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-10 IT: G -
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 100 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
M25P10-AVMP6G Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6G -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25P10 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 490 50 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MTFC128GAJAEDN-IT Micron Technology Inc. Mtfc128gajaedn-it 114.0000
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC128 Flash - nand - 169-LFBGA (14x18) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT: B TR -
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT: BTR 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 512m x 32 Paralelo 18ns
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8SQ-053 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-vfbga MT53D1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-vfbga (12.4x12.4) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT53D512M32D2DS-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 WT: D -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53D512M32D2DS-046WT: D EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT25QU256ABA8E55-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25Qu256ABA8E55-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 23-XFBGA, WLBGA MT25Qu256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 23-xfwlbga descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F128G08CEEDBJ4-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEEDBJ4-12IT: D TR -
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKEABH7-12IT: A TR -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C4G96 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 8 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT41K64M16TW-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107: J TR 5.0100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 933 MHz Volante 1 gbit 20 ns Dracma 64m x 16 Paralelo -
MTFC16GAKAEEF-AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEEF-AT -
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-TFBGA MTFC16 Flash - nand 1.7V ~ 1.9V 169-TFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT46H32M32LFT68MWC2 Micron Technology Inc. MT46H32M32LFT68MWC2 -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V - Obsoleto 0000.00.0000 1 Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo
MT47H256M8THN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3 IT: H -
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 2 GBIT 450 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G16 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT: GTR 2,000 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
M45PE20-VMN6P Micron Technology Inc. M45PE20-VMN6P -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M45PE20 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -M45PE20-VMN6P EAR99 8542.32.0071 100 75 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-75 IT: A TR -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H8M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 6 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
NAND02GAH0LZC5E Micron Technology Inc. Nand02GAH0LZC5E -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-LFBGA Nand02g Flash - nand 3.135V ~ 3.465V 153-LFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand02GAH0LZC5E 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 MMC -
MT28F004B5VP-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8 T -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) MT28F004B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8 Paralelo 80NS
MT29F8T08GULCEM4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QB: C 156.3000
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F8T08GULCEM4-QB: C 1
MT29F16G08AFABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F16G08AFABAWP: B -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MT28F004B5VG-8 B Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 B -
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) MT28F004B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8 Paralelo 80NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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