SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT60B2G8HS-48B AAT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT: A TR 31.3050
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - SDRAM - DDR5 - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT: ATR 3.000 2.4 GHz Volante 16 gbit 16 ns Dracma 2G x 8 Vana -
MTFC8GACAENS-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-AAT -
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT62F4G32D8DV-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AUT: B 145.4250
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AUT: B 1 4.266 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
MT46V32M16CY-5B XIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B XIT: J TR -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT46V32M16CY-5BXIT: JTR EAR99 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AISES: F -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR Micron Technology Inc. Mt42l128m64d2mc-18 it: un tr -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 240 WFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F512G08EBLEEJ4-R:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-R: E TR 10.7250
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 132-VBGA Flash - Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R: ETR 2,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. Mt29f4g08abbeah4-it: e -
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT48LC4M16A2P-7E IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT: J TR -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 14ns
MT46V64M8BN-6 IT:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 IT: F -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
M25P40-VMN6P Micron Technology Inc. M25P40-VMN6P -
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P40 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 50 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AIT: L TR -
RFQ
 ECAD 2465 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 2,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 12ns
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F2G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
EDB4064B3PB-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PB-8D-FD -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA Edb4064 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.680 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 64m x 64 Paralelo -
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AIT: A TR 57.3900
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: ATR 2,000
MT62F1536M32D4DS-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AAT: B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT: BTR 2,000
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AATES: F TR -
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F4G01 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 4 gbit Destello 4g x 1 SPI -
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBHBBJ4-3RES: B TR -
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F384G08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 384 GBIT Destello 48g x 8 Paralelo -
MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR 53.7600
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MTFC128GBCAQTC-AATESTR 2,000
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FD TR -
RFQ
 ECAD 6450 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2.400 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F1G08ABBDAHC:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAHC: D -
RFQ
 ECAD 3965 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.140 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT62F2G32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 IT: B 50.2800
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023IT: B 1 4.266 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 Paralelo -
MT41K512M16VRP-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 IT: P TR 15.2250
RFQ
 ECAD 9429 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 512m x 16 Paralelo 15ns
MT58L512L18PF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18PF-7.5 17.7000
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA MT58L512L18 Sram - Sincónnico 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 8mbit 4 ns Sram 512k x 18 Paralelo -
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazapakq-5 it -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT53E2DBDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DBDS-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 1693 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2DBDS-DC 1.360
MT53E4D1BHJ-DC Micron Technology Inc. MT53E4D1BHJ-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E4 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E4D1BHJ-DC 1.360
M29F800FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 8mbit 55 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 55ns
MT29F32G08AFABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFABAWP: B TR -
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT58L512L18PS-6 Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-6 -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP MT58L512L18 Sram - Sincónnico 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz Volante 8mbit 3.5 ns Sram 512k x 18 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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