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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC64M4A2P-75 L: D | - |  | 2939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC64M4A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 64m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | M29W400DB55N1 | - | | 9368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F | 8.1100 | | 5650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W800DB70N6F TR | - | | 7500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT57V1MH18EF-6 | 23.0000 | | 448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||||||
| MT48LC8M16A2TG-75: G TR | - | | 2127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H128M8HQ-3: E TR | - | | 8249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53D1G32D4BD-053 WT ES: D | - | | 9774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AAT: A TR | 32.8500 | | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
| MT53D384M64D4KA-046 XT ES: E TR | - | | 6174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||||||
 | MT47H256M8EB-25E IT: C TR | - | | 1732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46V32M16CV-5B IT: J | - | | 9093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | M45PE40S-VMN6P | - | | 8308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M45PE40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | ||||
 | MT61K256M32JE-12: A TR | - | | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61K256 | SGRAM - GDDR6 | 1.31V ~ 1.39V | 180-FBGA (12x14) | descascar | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||||
 | Mt29f4g16abadawp: d tr | - | | 7039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| Nand512r3a2szaxe | - | | 8535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
 | MT47H32M16NF-25E AIT: H | 4.6446 | | 2950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT40A4G4NRE-083E: B | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | - | |||||
| MT53D512M64D4BP-046 WT ES: E | - | | 2477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||||||
| MT46V32M16CY-5B L IT: J | - | | 7088 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F1T208ECCBBJ4-37ES: B TR | - | | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T208 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | No Volátil | 1.125tbit | Destello | 144g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT53D4DCSB-DC | - | | 9813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.190 | |||||||||||||||||||
| M36W0R6050T4ZAQF TR | - | | 2280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | M36W0R6050 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | |||||||||||||||||
| MT29F64G08CBABAWP-M: B | - | | 2269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR | - | | 2954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-TFBGA | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 19.8600 | | 8676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Rc28f00am29ewla | - | | 8574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | RC28F00 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 1 gbit | 100 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
| MT47H256M8EB-25E: C TR | 11.4150 | | 6589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT49H16M36BM-25 IT: B | - | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
| M29W640GT70ZA6F TR | - | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns |
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