SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75 IT: D TR -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 15ns
MT46V128M4P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B: D TR -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP - ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT52L768M32D3PU-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT: B -
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA MT52L768 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 168-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.680 933 MHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT41K512M4DA-125:K TR Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-125: K TR -
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 512m x 4 Paralelo -
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AIT: C -
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT29F128G08CBEABH6-12:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBEABH6-12: A -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT41K256M8DA-125 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AIT: K -
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT29F2T08GELCEJ4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QA: C TR 39.0600
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QA: CTR 2,000
MT45W2MW16PAFA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W2MW16PAFA-70 -
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 48-vfbga MT45W2MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 48-vfbga (6x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 32Mbit 70 ns Psram 2m x 16 Paralelo 70ns
PC28F256P33BFA Micron Technology Inc. PC28F256P33BFA -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 16m x 16 Paralelo 95ns
MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c8g96mazapdja-5 it -
RFQ
 ECAD 9913 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29C8G96 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 8Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT61K512M32KPA-21:U TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-21: U TR 30.4200
RFQ
 ECAD 5015 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA SGRAM - GDDR6 1.3095V ~ 1.3905V 180-FBGA (12x14) - 557-MT61K512M32KPA-21: UTR 2,000 10.5 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 POD_135 -
MT48LC16M16A2TG-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-6A: D TR -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
MT53B2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B2G32D8QD-062 WT: D -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT43A4G40200NFA-S15:A Micron Technology Inc. MT43A4G40200NFA-S15: A 600.0000
RFQ
 ECAD 2901 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT43A4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 240
MT47H32M16BN-37E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-37E IT: D TR -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 267 MHz Volante 512Mbit 500 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR Micron Technology Inc. MT66R7072A10ACUXZW.ZCA TR -
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 121-WFBGA MT66R7072 PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 121-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz No Volátil 1Gbit (PCM), 512Mbit (MCP) RAM 128m x 8 (PCM), 64m x 8 (MCP) Paralelo -
EDF8164A3MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-GD-FD -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 253-FBGA (11x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.980 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12IT: B -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
PC28F160C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F160 Flash - Bloque de Arranque 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 144 No Volátil 16mbit 70 ns Destello 1m x 16 Paralelo 70ns
MT29F4G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4: E -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT48LC8M8A2P-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 L: G -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 8 Paralelo 15ns
MT48LC16M8A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E: G -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 16m x 8 Paralelo 14ns
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT Micron Technology Inc. Mt29c1g12maadefakd-6 it -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 1GBIT (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MTFC32GAOALEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC32GAOALEA-WT ES TR -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Mtfc32g - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
M45PE10S-VMN6P Micron Technology Inc. M45PE10S-VMN6P -
RFQ
 ECAD 5119 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M45PE10 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 75 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 3 ms
MTFC256GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. Mtfc256gasaons-it tr 92.5800
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MTFC256Gasaons-ITTR 2,000
MT47H64M8B6-3 IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3 IT: D TR -
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT28EW256ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HJS-0SIT TR 6.7739
RFQ
 ECAD 8520 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28EW256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 256Mbit 75 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 60ns
MT41K512M8V80AWC1 Micron Technology Inc. MT41K512M8V80AWC1 -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1 Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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