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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A512M8RH-083E AUT: B | - |  | 1079 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.2 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F4T08EULEEM4-R: E | 85.8150 | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-R: E | 1 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT29F8G08ABABAWP: B TR | - | | 2466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48LC8M16A2B4-6A XIT: L | - | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-vfbga (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0002 | 1.560 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
 | M25P32-VMF6P | - | | 3427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | M25P32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | Mt48v8m32lff5-10 it tr | - | | 5865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48V8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 2.3V ~ 2.7V | 90-vfbga (8x13) | - | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 256Mbit | 7 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR | - | | 1173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| Mt25ql128abb8esf-0aut | 5.8900 | | 122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25QL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Mt25ql128abb8esf-0aut | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
 | M36W0R5040T5ZAQE | - | | 2196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 88-TFBGA | M36W0R | Destello | 1.7V ~ 1.95V | 88-TFBGA (8x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -M36W0R5040T5ZAQE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT29F256G08CMCABH2-10Z: A | - | | 4288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT46V16M8P-6T: D | - | | 1170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v16m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT25QU01GBBB8ESF-0AAT | 19.7000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Mt25qu01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -791-mt25qu01gbbb8esf-0aat | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||
 | MT28F400B5SP-8 T | - | | 1122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | MT28F400B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT35XL512ABA2G12-0AAT | - | | 7992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | MT58V1MV18FT-7.5 | 18.7900 | | 154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||||
| MT62F2G32D4DS-023 AUT: C | 73.4400 | | 5114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V64M8CY-5B AIT: J TR | - | | 2993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT25QL256BBB1EW7-CSIT TR | 5.6550 | | 3259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | 557-MT25QL256BBB1EW7-CSITTR | 4.000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.8ms | |||||||
| M29W400DB55N1 | - | | 9368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | MT46V64M8BN-5B: D | - | | 9220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT28F400B5WP-8 TET TR | - | | 4129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F400B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT53D1024M32D4DT-053 WT: D TR | - | | 7050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | |||
| MT49H32M18CBM-18: B | - | | 7752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 576Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
 | N25q128a13ese40g | - | | 3515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Q6985588 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||
 | MT29F16G16AdBCAH4: C | - | | 5564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F16G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 1g x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT41J256M8DA-093: K | - | | 7356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 1.066 GHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
| Nand02GAH0LZC5E | - | | 8884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-LFBGA | Nand02g | Flash - nand | 3.135V ~ 3.465V | 153-LFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand02GAH0LZC5E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | MMC | - | ||
 | PC28F128P33B85A | - | | 6813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
| MT41K1G16DGA-125: A | - | | 2317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K1G16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9.5x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.020 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | 13.75 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT47H64M8CF-25E: G TR | - | | 3189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns |
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