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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT25TL256HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. Mt25tl256hba8esf-0aat -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25TL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT40A4G4DVN-068H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H: E -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT40A4G4DVN-068H: E Obsoleto 210 1.467 GHz Volante 16 gbit 27 ns Dracma 4g x 4 Paralelo -
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT: G TR -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F2G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-5 WT: B -
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 240 WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 240-WFBGA (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 4 gbit 5 ns Dracma 128m x 32 Paralelo 15ns
MT28F800B3WG-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 B TR -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F800B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8mbit 90 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 90ns
MT29F4T08GMLBEJ4:B Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLBEJ4: B -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F4T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F4T08GMLBEJ4: B Obsoleto 1.120 No Volátil 4tbit Destello 512g x 8 Paralelo -
MT62F1536M64D8EK-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AAT: B TR 94.8300
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5GX 64 - -
MT58L128V36P1F-5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1F-5 7.7500
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz Volante 4mbit 2.8 ns Sram 128k x 36 Paralelo -
M29F040B70N6E Micron Technology Inc. M29F040B70N6E -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F040 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 156 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8 Paralelo 70ns
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto Mt29az5 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C Obsoleto 1.440
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT: E 49.0500
RFQ
 ECAD 2594 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) M25P64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 50 50 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT53E2D1BFW-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BFW-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT53E2 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E2D1BFW-DC 1.360
MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBL1-6: D TR -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 167 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT46H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6: B TR -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKEBBK7-12: B TR -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
M25PX64-VZM6P Micron Technology Inc. M25PX64-VZM6P -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa M25PX64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 187 75 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 864 No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 95ns
MT48H8M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT TR -
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.9V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT40A512M8RH-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT: B -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 107-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 107-vfbga descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECDBJ4-10: D TR -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10Z: A TR -
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
EMFP112A3PB-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFP112A3PB-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-37R: G -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT62F768M64D4EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT: B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-026WT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MT60B2G8HS-48B AAT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT: A TR 31.3050
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) - - SDRAM - DDR5 - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT: ATR 3.000 2.4 GHz Volante 16 gbit 16 ns Dracma 2G x 8 Vana -
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FR TR -
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 800 MHz Volante 24 gbit Dracma 192m x 128 Paralelo -
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37: B TR -
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F768G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 768gbit Destello 96g x 8 Paralelo -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. Mt29f128g08amedbj5-12: D -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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