SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F4G08ABAEAWP:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP: E -
RFQ
 ECAD 2915 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
PH28F320W18BE60A Micron Technology Inc. PH28F320W18BE60A -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - PH28F320W18 Flash - Ni 1.7V ~ 1.95V 56-vfbga - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 336 52 MHz No Volátil 32Mbit 60 ns Destello 2m x 16 Paralelo 60ns
MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4CR-053 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 4139 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E XIT: C TR 17.2000
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 2 GBIT 400 ps Dracma 128m x 16 Paralelo 15ns
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-IT: D -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 256Mbit 75 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 60ns
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR Micron Technology Inc. Mt29f2g08abagawp-ite: g tr 2.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology Inc. Mt47h32m16bn-25e it: d tr -
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT46V64M16TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V64M16TG-75: A -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V64M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 133 MHz Volante 1 gbit 750 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT28F400B3SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) MT28F400B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 44-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
M29W640GL70NA6E Micron Technology Inc. M29W640GL70NA6E -
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. Mt29f4g16abadawp-it: d tr -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT47H64M8CB-37E IT:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E: B -
RFQ
 ECAD 5980 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 267 MHz Volante 512Mbit 500 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT48LC16M8A2P-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A IT: L -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M8A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 16m x 8 Paralelo 12ns
M25P20-VMN6 Micron Technology Inc. M25P20-VMN6 -
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P20 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 50 MHz No Volátil 2 mbit Destello 256k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
M29W200BB70N6E Micron Technology Inc. M29W200BB70N6E -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W200 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 2 mbit 70 ns Destello 256k x 8, 128k x 16 Paralelo 70ns
MT28F400B5SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 B -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) MT28F400B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
MT29F2T08EELCHL4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHL4-QA: C TR 41.9550
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08EELCHL4-QA: CTR 2,000
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D4G16D8AL-062 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D4G16 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53D4G16D8AL-062WT: ETR Obsoleto 2,000 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 4g x 16 - -
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc. MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT29RZ4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT45W4MW16BFB-706 WT F Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-706 WT F -
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x9) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 64 Mbbit 70 ns Psram 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F512G08CKCABH7-6R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6R: A -
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C2G24 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 8 (nand), 32m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MTC10C1084S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1EC48BAZ 171.6000
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTC10C1084S1EC48BAZ 1
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQCBBG2-37ES: B TR -
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F3T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 272-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 3Tbit Destello 384g x 8 Paralelo -
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc. TE28F256P33TFA -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) 28F256P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz No Volátil 256Mbit 105 ns Destello 16m x 16 Paralelo 105ns
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-8 IT: G TR -
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT40A1G16WBU-083E:B Micron Technology Inc. MT40A1G16WBU-083E: B -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 1.2 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT40A2G4SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-075: E 10.1850
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 2G x 4 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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