SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: B TR 47.8950
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT 3.5 ns Dracma 768m x 64 Paralelo 18ns
MT46H64M32LFCX-48 WT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-48 WT: B -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (9x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 208 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 64m x 32 Paralelo 14.4ns
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR Micron Technology Inc. MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT38W2011 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITE: E -
RFQ
ECAD 1690 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT47H128M8HQ-3 L:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 L: G TR -
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT49H64M9FM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E: B TR -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H64M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 64m x 9 Paralelo -
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AUT: F 4.2603
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT: F 1
MT25QU128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. Mt25qu128abb8esf-0aut 5.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25Qu128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25qu128abb8esf-0aut 3A991B1A 8542.32.0051 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53B256M32D1NP-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT: C -
RFQ
ECAD 4184 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT40A4G4FSE-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A4G4FSE-083E: A TR -
RFQ
ECAD 3196 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 16 gbit Dracma 4g x 4 Paralelo -
PC28F256P33B85A Micron Technology Inc. PC28F256P33B85A -
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F256 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz No Volátil 256Mbit 85 ns Destello 16m x 16 Paralelo 85ns
MTFC32GLTDM-WT Micron Technology Inc. Mtfc32gltdm-wt -
RFQ
ECAD 4998 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
M36W0R6050B4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36W0R6050B4ZAQF TR -
RFQ
ECAD 3803 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto M36W0R6050 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3R: B -
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 221-WFBGA Mt29tzzz8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.520 933 MHz No Volátil, Volátil 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) Flash, ram 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
M50FW040NB5G Micron Technology Inc. M50FW040NB5G -
RFQ
ECAD 7239 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) M50FW040 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 208 33 MHz No Volátil 4mbit 250 ns Destello 512k x 8 Paralelo -
M28W320HST70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HST70ZA6E -
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M28W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 136 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 2m x 16 Paralelo 70ns
MT53D2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT: D -
RFQ
ECAD 9049 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT29F4G08AACHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACHC: C TR -
RFQ
ECAD 3384 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT40A512M16JY-062E:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-062E: B -
RFQ
ECAD 5536 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 IT: G TR -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT53D4DANY-DC TR Micron Technology Inc. Mt53d4dany-dc tr -
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - MT53D4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2,000 Volante Dracma
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 6 gbit Dracma 384m x 16 - -
MT29F64G08AJABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP-IT: B -
RFQ
ECAD 1892 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3: B -
RFQ
ECAD 5304 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29E384G08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 384 GBIT Destello 48g x 8 Paralelo -
MT29F128G08CFAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP: A TR -
RFQ
ECAD 3979 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT40A1G16KD-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E IT: E -
RFQ
ECAD 6136 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 557-MT40A1G16KD-062EIT: E 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 15ns
MTFC64GAJAEDQ-AAT Micron Technology Inc. Mtfc64gajaedq-aat -
RFQ
ECAD 6783 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC64 Flash - nand - 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A IT: G TR 7.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 2,000 167 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
MT53B256M64D2NW-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NW-062 WT: C -
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock