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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 |  | 149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | SRAM - ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 4mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT28GU01GAAA1EGC-0SIT | - | | 8997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | MT28GU01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-TBGA (10x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 96 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT52L256M64D2PP-107 WT: B | - | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 253-vfbga | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 253-vfbga (11x11.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||
| M29F800FB5AM6F2 | 5.0000 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-soico | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | - | 3277-M29F800FB5AM6F2TR | 500 | No Volátil | 8mbit | 55 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT: C TR | 127.0200 | | 4837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| JR28F032M29EWBA | - | | 4504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JR28F032M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT29F4G16AACWC: C TR | - | | 3704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT46V32M16P-5B L: J | - | | 5448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F3T08EQHBBG2-3RES: B TR | - | | 6462 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F3T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 272-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT41J64M16JT-15E XIT: G | - | | 1786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | JS28F256M29EWHD | - | | 5766 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 256Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 110ns | |||
| MT53E2DBDS-DC TR | 22.5000 | | 9307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT53E2 | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2DBDS-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AAT: B TR | 62.0700 | | 4623 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F64G08CBABBWP-12: B TR | - | | 5963 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT58L64L18PT-7.5 | 8.0800 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L64L18 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 1 mbit | 4.2 ns | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | ||
| MT62F512M32D2DR-031 WT: B | 11.7600 | | 1677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F512M32D2DR-031WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT48LC4M32B2P-6: G TR | - | | 4137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 12ns | ||
| MT47H64M16NF-25E AIT: M TR | 3.8331 | | 4418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT47H64M16NF-25EAIT: MTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z: A TR | - | | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F256G08EFCDBWP-10M: D TR | - | | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT48H8M32LFB5-6: H TR | - | | 4478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F64G08ABEBBH6-12: B TR | - | | 8892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR | - | | 5384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | |||||
 | PC48F4400P0TB00D | - | | 1430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC48F4400 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 512Mbit | 85 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
| MT41K256M16HA-125 IT: E | - | | 5652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT44K32M18RB-125: A | - | | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 12 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
| Nand32gw3f2ddi6p | - | | 3547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Nand32g | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E XIT: M | - | | 7640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F256G08CEECBH6-12: C | - | | 2787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29E3T08EUHBBM4-3: B | - | | 2330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - |
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