SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (10x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 128m x 16 Paralelo 15ns
MT58L128L36P1T-7.5IT Micron Technology Inc. MT58L128L36P1T-7.5IT 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 4mbit 4 ns Sram 128k x 36 Paralelo -
PC28F128P30B85D TR Micron Technology Inc. PC28F128P30B85D TR -
RFQ
 ECAD 6959 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
JS28F256P30T2E Micron Technology Inc. JS28F256P30T2E -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256P30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 576 40 MHz No Volátil 256Mbit 110 ns Destello 16m x 16 Paralelo 110ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-vfbga (13x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256M x 16 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
M58WR064KU70D16 Micron Technology Inc. M58WR064KU70D16 -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M58WR064 Flash - Ni 1.7v ~ 2v - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 66 MHz No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCDBJ5-6IT: D TR -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT61M512M32KPA-14 N:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 N: C 42.1050
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT61M512M32KPA-14N: C 1
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14: A -
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA MT61K256 SGRAM - GDDR6 1.31V ~ 1.39V 180-FBGA (12x14) descascar EAR99 8542.32.0071 1.260 1.75 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37: B TR -
RFQ
 ECAD 7061 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F1HT08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 1.5tbit Destello 192G x 8 Paralelo -
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFACAWP-Z: C TR -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT48LC4M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E: G TR -
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 14ns
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT: H -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT62F1536M64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 WT ES: B TR 122.7600
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023WTES: BTR 1.500 4.266 GHz Volante 96 GBIT Dracma 1.5GX 64 Paralelo -
EMF8132A3PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo EMF8132 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.680
EDW4032BABG-80-F-D Micron Technology Inc. EDW4032BABG-80-FD -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA Edw4032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.440 2 GHz Volante 4 gbit RAM 128m x 32 Paralelo -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12Maaiyamd-5 -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
PC28F00AM29EWL0 Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWL0 -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa PC28F00A Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 184 No Volátil 1 gbit 100 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 100ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR 14.9250
RFQ
 ECAD 8960 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28EW01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 1 gbit 95 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 60ns
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT ES: B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
RC28F128P30TF65A Micron Technology Inc. RC28F128P30TF65A -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 65 ns Destello 8m x 16 Paralelo 65ns
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4: D 4.0428
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT: A TR -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
M58LT128KST8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KST8ZA6E -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M58LT128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.520
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) M25PE16 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO W - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.800 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES: C 1
MT29F1G16ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC: D TR -
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MT58L64L18CT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18CT-10 7.0500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2B 8542.32.0041 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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