SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MTFC128GAVATTC-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GAVATTC-AT 56.1900
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTFC128GAVATTC-AT 1
MT46V16M8P-6T:DTR Micron Technology Inc. MT46V16M8P-6T: DTR -
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v16m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 16m x 8 Paralelo 15ns
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT: G -
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT: B -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT28GU256AAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0SIT -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA MT28GU256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 133 MHz No Volátil 256Mbit 96 ns Destello 32m x 8 Paralelo -
MT48LC4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8: G TR -
RFQ
 ECAD 2312 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC4M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 125 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 4m x 32 Paralelo 15ns
MT46V32M16BN-6:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6: C -
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
M29W128GSH70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70N6E -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08LelEeg7-QB: E 52.9800
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08LelEEG7-QB: E 1
MT44K16M36RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E: A -
RFQ
 ECAD 1540 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K16M36 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1.190 1.066 GHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT: B -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.900 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
M29F040B70N6E Micron Technology Inc. M29F040B70N6E -
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F040 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 156 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8 Paralelo 70ns
MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 Micron Technology Inc. MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 -
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo MT29AZ2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 1.560
MT46V64M8TG-6T:F TR Micron Technology Inc. Mt46v64m8tg-6t: f tr -
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT41J128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-125: G -
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 800 MHz Volante 1 gbit Dracma 128m x 8 Paralelo -
MTFC32GAPALNA-AAT Micron Technology Inc. Mtfc32gapalna-aat 34.6800
RFQ
 ECAD 760 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA Mtfc32g Flash - nand - 100 TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B -
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 6 gbit Dracma 384m x 16 - -
MT46V32M16TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T: F TR -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075: E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
M58LT256KST7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT256KST7ZA6E -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M58LT256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 4842 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto M36W0R6050 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
N25Q128A31EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A31EF840F TR -
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q128A31 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 4.000 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J -
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 149-WFBGA MT29GZ5A5 Flash - Nand, DRAM - LPDDR4 1.8V 149-WFBGA (8x9.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 1866 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR4) Flash, ram 512m x 8 (nand), 128m x 32 (LPDDR4) Paralelo -
M29W800DB70ZM6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZM6E -
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V - descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAUT-FD -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 134-vfbga EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-vfbga (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1.680 533 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3: D TR -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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