SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MOC8111S onsemi Moc8111s -
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8111S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
FOD050L onsemi FOD050L 2.6200
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD050 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 7V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA 50% @ 16MA 1 µs, 1 µs (max) -
HCPL2631 onsemi HCPL2631 2.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL26 Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 5kV/µs 75ns, 75ns
TIL113300 onsemi Til113300 -
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til11333300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
H11B2SD onsemi H11B2SD -
RFQ
ECAD 2666 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B2SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC8021SD onsemi MOC8021SD -
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8021SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 3.5 µs, 95 µs 2V
MOC80203S onsemi MOC80203S -
RFQ
ECAD 7468 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC802 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC80203S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 50V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs 2V
4N27TVM onsemi 4N27TVM -
RFQ
ECAD 2312 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC8113300 onsemi MOC8113300 -
RFQ
ECAD 8116 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC811333300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
FOD2742CR1 onsemi FOD2742CR1 -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11A33SD onsemi H11A33SD -
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3010SR2M onsemi MOC3010SR2M 1.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
H11A617AS onsemi H11A617As -
RFQ
ECAD 2229 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.35V 50 Ma 5300 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400mv
H11D3300W onsemi H11D3300W -
RFQ
ECAD 1789 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3021FR2M onsemi MOC3021FR2M -
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3021FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
HMHA2801CR4V onsemi HMHA2801CR4V -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
MOC3162SVM onsemi MOC3162SVM -
RFQ
ECAD 7032 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
SL5500300W onsemi SL5500300W -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SL55 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5500300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 300% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
HMHA2801V onsemi HMHA2801V 0.7000
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA2801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 300mv
H11C2W onsemi H11C2W -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Tu 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
FODM2701BR1 onsemi FODM2701BR1 -
RFQ
ECAD 6972 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
H11A817A300 onsemi H11A817A300 -
RFQ
ECAD 6096 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817A300-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
H11G2S onsemi H11G2S -
RFQ
ECAD 6629 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11G2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
H11G1SD onsemi H11G1SD -
RFQ
ECAD 4102 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11G1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 100V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
H11C6S onsemi H11C6S -
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11C Tu 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C6S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 400 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
MOC3082M onsemi Moc3082m 2.0100
RFQ
ECAD 610 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc308 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
H11AG33S onsemi H11AG33S -
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AG33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 50 Ma 5300 VRMS 20% @ 1MA - 5 µs, 5 µs 400mv
SL5582W onsemi SL5582W -
RFQ
ECAD 8455 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SL5582 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5582W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 40% @ 10mA 320% @ 10mA 20 µs, 50 µs (máx) 400mv
MOC205M onsemi Moc205m 0.7400
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc205 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N313SD onsemi 4N313SD -
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N313SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock