SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11A5M onsemi H11A5M -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A5MFS EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOCD207R1M_F132 onsemi MOCD207R1M_F132 -
RFQ
ECAD 4774 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd20 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.6 µs, 2.2 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3 µs, 2.8 µs 400mv
MOC3043SVM onsemi MOC3043SVM 1.5700
RFQ
ECAD 111 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3043SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
MOC8050W onsemi MOC8050W -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC805 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8050W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
FOD4216 onsemi FOD4216 3.9700
RFQ
ECAD 354 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD421 Cul, Fimko, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.28V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA No 10 kV/µs 1.3MA 60 µs
H11L1VM onsemi H11L1VM 1.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11L1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
4N38W onsemi 4N38W -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n38 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N38W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1V
H11B1M onsemi H11B1M 0.7600
RFQ
ECAD 470 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B1 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3043TVM onsemi Moc3043tvm 1.5000
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3043TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
CNW83SD onsemi CNW83SD -
RFQ
ECAD 8247 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNW83 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V - 100 mA 5900 VRMS 0.4% @ 10mA - - 400mv
CNW135S onsemi CNW135S -
RFQ
ECAD 3378 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota CNW13 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 7% @ 16MA - - -
HCPL2731SM onsemi HCPL2731SM 1.0552
RFQ
ECAD 1308 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2731 Corriente Continua 2 Darlington 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 500% @ 1.6MA - - -
TIL113SD onsemi Til113sd -
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til113sd-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
MCT5210M onsemi MCT5210M 1.9100
RFQ
ECAD 639 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5210 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 4170vrms 70% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
H11D1300W onsemi H11D1300W -
RFQ
ECAD 7258 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
H11F1TVM onsemi H11F1TVM 5.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-H11F1TVM-488 EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.3V 60 Ma 4170vrms - - 45 µs, 45 µs (MAX) -
TIL1133SD onsemi Til1133sd -
RFQ
ECAD 8504 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Til113 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Til1133sd-ndr EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 300% @ 10mA - 350ns, 55 µs 1.25V
H11N1M onsemi H11N1M 7.3400
RFQ
ECAD 207 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11N13S onsemi H11N13S -
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 3.2MA 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
MCT5210SD onsemi MCT5210SD -
RFQ
ECAD 2420 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5210SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 70% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
FODM3022R2 onsemi FODM3022R2 -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
H11A817A3SD onsemi H11A817A3SD -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A817A3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 MV
HCPL0500V onsemi HCPL0500V 0.8819
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0500 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
H11A5FR2VM onsemi H11A5FR2VM -
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HMHAA280R3 onsemi Hmhaa280r3 -
RFQ
ECAD 1814 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa28 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
HMA121R2V onsemi HMA121R2V -
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
FODM3051R4V onsemi FODM3051R4V -
RFQ
ECAD 1778 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 15 Ma -
MOC8030300 onsemi MOC8030300 -
RFQ
ECAD 2543 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC803 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8030300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
H11A1SVM onsemi H11A1SVM -
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3083SM onsemi MOC3083SM 1.3100
RFQ
ECAD 970 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3083SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock