SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
MCT2ESR2VM onsemi MCT2ESR2VM 0.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 2 µs, 1.5 µs 30V 1.25V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11D3S onsemi H11D3S -
RFQ
ECAD 8398 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 200V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
CNY17F4SR2M onsemi CNY17F4SR2M 0.7900
RFQ
ECAD 6479 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17F4 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MCT5201 onsemi MCT5201 -
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 2.5 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 120% @ 5MA - 3 µs, 12 µs 400mv
HMAA2705R4 onsemi HMAA2705R4 -
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HMA2701R4V onsemi HMA2701R4V -
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA270 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
FOD060LR1 onsemi FOD060LR1 -
RFQ
ECAD 5655 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD060 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50mera 3750vrms 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
H11B815W onsemi H11B815W -
RFQ
ECAD 9282 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11B Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B815W-NDR EAR99 8541.49.8000 2,000 80mera 300 µs, 250 µs (MAX) 35V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
MOC216M onsemi Moc216m 0.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC216 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.07V 60 Ma 2500 VRMS 50% @ 1MA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
H11A5SVM onsemi H11A5SVM -
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
4N33M onsemi 4n33m 0.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N33 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 4170vrms 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
H11A1300W onsemi H11A1300W -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD817W onsemi FOD817W -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FOD2742AR1 onsemi FOD2742AR1 -
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.2V 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
MOC5009M onsemi Moc5009m -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 onde Globlooptoisolator ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc500 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC5009-M EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 1MHz - - 10 Ma 7500vpk 1/0 - -
MOC256R1VM onsemi MOC256R1VM -
RFQ
ECAD 6804 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc256 AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
HCPL2531M onsemi HCPL2531M 2.4200
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MOC205R2M onsemi MOC205R2M 0.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc205 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
4N293SD onsemi 4N293SD -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N29 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N293SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
HMHAA280V onsemi Hmhaa280v 0.2363
RFQ
ECAD 4374 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Hmhaa280 AC, DC 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
HCPL0600 onsemi HCPL0600 3.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2166-HCPL0600-488 EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD8160R2V onsemi FOD8160R2V 3.7100
RFQ
ECAD 9254 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.362 ", 9.20 mm de ancho), 5 cables FOD8160 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 5-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 22ns, 9ns 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 1/1 20kV/µs 90ns, 80ns
CNW11AV2 onsemi CNW11AV2 -
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW11 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 70V - 100 mA 4000 VRMS 50% @ 10mA - - 400mv
FOD2741BTV onsemi FOD2741BTV 1.7900
RFQ
ECAD 117 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
4N36SD onsemi 4N36SD -
RFQ
ECAD 4324 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
FOD817C onsemi FOD817C 0.4200
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
H11A4SM onsemi H11A4SM -
RFQ
ECAD 4635 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A4SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3041FM onsemi Moc3041fm -
RFQ
ECAD 7131 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3041FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 400 µA (topos) Si - 15 Ma -
FOD0721 onsemi FOD0721 4.8200
RFQ
ECAD 5956 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD072 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 25Mbps 5ns, 4.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
MOC3012SR2VM onsemi MOC3012SR2VM -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3012SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 250 V 100 µA (topos) No - 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock