SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FODB102V onsemi FODB102V -
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 onde MicroCoupler ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-Tebga FODB10 Corriente Continua 1 Transistor 4-BGA (3.5x3.5) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 1 µs, 5 µs 75V 1.5V (Máximo) 30 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA - 3 µs, 5 µs 400mv
MCT61S onsemi MCT61S 1.0800
RFQ
ECAD 2609 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota MCT61 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT61S-NDR EAR99 8541.49.8000 50 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
H11B2 onsemi H11B2 -
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
MOC3021VM onsemi MOC3021VM 0.8100
RFQ
ECAD 990 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3021VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 15 Ma -
4N393S onsemi 4N393S -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n39 Ur, vde 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N393S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA 1mera No 500V/µs 30mera 50 µs (MAX)
MCT2E3SD onsemi MCT2E3SD -
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT2E3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 1.1 µs, 50 µs 400mv
MOC8100M onsemi Moc8100m -
RFQ
ECAD 8507 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC810 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 30% @ 1MA - 20 µs, 20 µs (máx) 500mv
H11AV2FR2M onsemi H11AV2FR2M -
RFQ
ECAD 7335 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AV2FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 15 µs, 15 µs 400mv
FOD2743ASDV onsemi Fod2743asdv -
RFQ
ECAD 7450 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD274 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 70V 1.07V 5000 VRMS 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400mv
MOC3162FM onsemi Moc3162fm -
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
H11N2W onsemi H11N2W -
RFQ
ECAD 5375 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto - 6 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5MHz - 1.4V 5 mm 7500 VRMS 1/0 - 330ns, 330ns
MOCD211R2M onsemi MOCD211R2M 1.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD211 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD817C onsemi FOD817C 0.4200
RFQ
ECAD 9378 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
FODM3023R2V onsemi FODM3023R2V -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
MOC3009 onsemi Moc3009 -
RFQ
ECAD 4766 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc300 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Moc3009qt EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 5300 VRMS 250 V 100 µA No 30mera
4N36SM onsemi 4N36SM 0.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N36SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
CNW135300 onsemi CNW135300 -
RFQ
ECAD 7617 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW13 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 7% @ 16MA - - -
6N138W onsemi 6N138W -
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 6N138 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 6N138W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 7V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 300% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
MOC8113300W onsemi MOC8113300W -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
MCT5201 onsemi MCT5201 -
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 2.5 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 120% @ 5MA - 3 µs, 12 µs 400mv
4N30S onsemi 4n30s -
RFQ
ECAD 5564 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N30 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4n30s-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1V
MOC119 onsemi MOC19 -
RFQ
ECAD 5310 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC19 Corriente Continua 1 Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 300% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs 1V
H11C1S onsemi H11C1S -
RFQ
ECAD 1503 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11C Tu 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C1S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 20 Ma -
H11A3300W onsemi H11A3300W -
RFQ
ECAD 1046 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC8113W onsemi MOC8113W -
RFQ
ECAD 8912 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8113W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
MCT5210 onsemi MCT5210 -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 70% @ 3MA - 10 µs, 400ns 400mv
H11A817 onsemi H11A817 -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2.4 µs, 2.4 µs 70V 1.2V 50 Ma 5300 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
CNY172300W onsemi CNY172300W -
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY172 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY172300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
MCT6W onsemi MCT6W 1.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MCT6 Corriente Continua 2 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera - 30V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 20% @ 10mA - 2.4 µs, 2.4 µs 400mv
FODM3012R3V onsemi FODM3012R3V -
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock