SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11A1FR2M onsemi H11A1FR2M -
RFQ
ECAD 1785 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
CNY173TVM onsemi CNY173TVM 0.7700
RFQ
ECAD 2115 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY173 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FOD410 onsemi FOD410 4.3600
RFQ
ECAD 953 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD410 CSA, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
MOC3031FVM onsemi MOC3031FVM -
RFQ
ECAD 4456 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3031FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 400 µA (topos) Si - 15 Ma -
FODM453V onsemi Fodm453v 2.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Fodm453 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.6V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 400ns, 350ns -
4N28TM onsemi 4n28tm -
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4n28 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N28TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
HCPL2630SDVM onsemi HCPL2630SDVM 0.9596
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2630 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-SMD - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
MCT2E onsemi MCT2E -
RFQ
ECAD 2844 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 20% @ 10mA - 1.1 µs, 50 µs 400mv
MOC3081FR2M onsemi MOC3081FR2M -
RFQ
ECAD 7693 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3081FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 800 V 500 µA (topos) Si - 15 Ma -
MOC3020FR2VM onsemi MOC3020FR2VM -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc302 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3020FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 400 V 100 µA (topos) No - 30mera -
4N393S onsemi 4N393S -
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n39 Ur, vde 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N393S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA 1mera No 500V/µs 30mera 50 µs (MAX)
MOC3022M onsemi Moc3022m 0.8800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc302 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 60 Ma 4170vrms 400 V 100 µA (topos) No - 10 Ma -
4N26FM onsemi 4n26fm -
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N26FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
H11A1VM onsemi H11A1VM 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A1 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado H11A1VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HMA121DR4 onsemi HMA121DR4 -
RFQ
ECAD 8807 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 100% @ 5MA - 400mv
FODM3052R2-NF098 onsemi FODM3052R2-NF098 1.6600
RFQ
ECAD 80 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11A53S onsemi H11A53S -
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A53S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3162FM onsemi Moc3162fm -
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 10 Ma -
MOC213R1M onsemi MOC213R1M -
RFQ
ECAD 5087 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOC213 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC213R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
MOC3032FVM onsemi Moc3032fvm -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc303 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3032FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 250 V 400 µA (topos) Si - 10 Ma -
H11D13SD onsemi H11D13SD -
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11D13SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
4N35 onsemi 4n35 -
RFQ
ECAD 4411 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n35 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
MOC8050S onsemi MOC8050S -
RFQ
ECAD 7129 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC805 Corriente Continua 1 Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8050S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 80V 1.15V 60 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 3.5 µs, 95 µs -
FOD0720 onsemi FOD0720 3.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD072 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 25Mbps 5ns, 4.5ns - - 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
4N26TVM onsemi 4N26TVM 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 4N26TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 4170vrms 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
MOC3163VM onsemi MOC3163VM 2.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
HCPL0531R2 onsemi HCPL0531R2 4.7800
RFQ
ECAD 360 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0531 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
MOC3082TVM onsemi MOC3082TVM 1.0900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc308 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 800 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 10 Ma -
MOC3042SVM onsemi MOC3042SVM 1.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3042SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 400 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
4N28FR2VM onsemi 4N28FR2VM -
RFQ
ECAD 6643 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4n28 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N28FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock