SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
H11A3M onsemi H11A3M -
RFQ
ECAD 3465 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A3MFS EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
MOC3061VM onsemi Moc3061vm 1.2600
RFQ
ECAD 9374 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Moc306 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 600V/µs 15 Ma -
H11F3300 onsemi H11F3300 -
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 15V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
H11G2VM onsemi H11G2VM 0.5151
RFQ
ECAD 5396 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G2 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.3V 60 Ma 4170vrms 1000% @ 10 Ma - 5 µs, 100 µs 1V
H11B2S onsemi H11B2S -
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 200% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
CNY173M_F132 onsemi CNY173M_F132 -
RFQ
ECAD 4776 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY173 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
MOCD207D2M onsemi MOCD207D2M 1.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD207 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 70V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FODM217AV onsemi Fodm217av 0.9900
RFQ
ECAD 830 0.00000000 onde FODM217 Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fodm217avos EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FOD2741BSV onsemi FOD2741BSV 1.8600
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11D2VM onsemi H11D2VM -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
MOC3073SR2VM onsemi MOC3073SR2VM 0.5565
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc307 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 6mA -
H11AV1FM onsemi H11AV1FM -
RFQ
ECAD 7494 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11AV1FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 70V 1.18V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (máx) 400mv
HMHA2801CR3 onsemi HMHA2801CR3 -
RFQ
ECAD 3069 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300mv
MCT52113S onsemi MCT52113S -
RFQ
ECAD 7608 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT52113S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 150% @ 1.6MA - 14 µs, 2.5 µs 400mv
MOC8113S onsemi MOC8113S -
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8113S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
MOC3162SR2VM onsemi MOC3162SR2VM -
RFQ
ECAD 8288 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3162SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 Ma 4170vrms 600 V 500 µA (topos) Si 1kV/µs 10 Ma -
4N37 onsemi 4n37 -
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n37 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 300mv
4N27FVM onsemi 4N27FVM -
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N27 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N27FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 10% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 500mv
6N137SDV onsemi 6N137SDV -
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
H11G45 onsemi H11G45 -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11G Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 55V 11V 60 Ma 4000 VRMS 250% @ 1MA - 5 µs, 150 µs -
FOD2741ATV onsemi Fod2741atv 1.9200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8 mdip descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
HCPL2531V onsemi HCPL2531V 1.9300
RFQ
ECAD 387 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
H11N2FR2VM onsemi H11N2FR2VM -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11N Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
74OL60003S onsemi 74ol60003s -
RFQ
ECAD 7934 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 74ol600 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 45ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
HCPL3700 onsemi HCPL3700 5.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL37 AC, DC 1 Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado HCPL3700-NDR EAR99 8541.49.8000 50 30mera 45 µs, 0.5 µs 20V - 2500 VRMS - - 6 µs, 25 µs -
H11A5300 onsemi H11A5300 -
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A5300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 mA 5300 VRMS 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FODM2701B onsemi FODM2701B -
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
74OL6001W onsemi 74OL6001W -
RFQ
ECAD 1208 0.00000000 onde Optológico ™ Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) 74ol600 Lógica 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 5.5V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 40 Ma 15mbd 45ns, 5ns - - 5300 VRMS 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
MOC8100SM onsemi MOC8100SM -
RFQ
ECAD 5134 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8100SM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 7500vpk 30% @ 1MA - 20 µs, 20 µs (máx) 500mv
CNX36U3S onsemi CNX36U3S -
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX36U3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock