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Optoisoladores (794)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC8103300 | 0.1000 |  | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 30V | 1.15V | 100 mA | 5300 VRMS | 108% @ 10mA | 173% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | MOC212R2M | 1.0000 | | 9631 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 50% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FOD617D300 | - | | 5862 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 380 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
| HCPL0500R2V | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 306 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||||
| 4N37TVM | 0.2500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.210 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
 | 6N135SDV | 0.8000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
| FOD817CW | 0.1000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
 | 4N29SR2M | - | | 2810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | - | 30V | 1.2V | 80 Ma | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1V | |||||||||||||||||||
 | Hcpl2611v | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| H11A817BW | 0.0600 | | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
| CNY17F4300W | 0.2000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||
 | H11D2SR2VM | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 7500vpk | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | MOC3052SM | - | | 4456 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Tu | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||||
| H11B3 | 0.1000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||||
| FOD2742CR2 | 0.3600 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
| FOD2742CR1 | 0.3300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.2V | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | H11F1M | - | | 7574 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11F | Corriente Continua | 1 | Mosfet | 6 Dipp | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3845-H11F1M | EAR99 | 1 | 100mA | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | - | - | 45 µs, 45 µs (MAX) | - | |||||||||||||||
| MOC215-M | 0.2200 | | 1995 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,257 | 150 Ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 1MA | - | 4 µs, 4 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | FODM3021R2 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
| Mocd223vm | 0.6900 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 471 | 150 Ma | 8 µs, 110 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 500% @ 1MA | - | 10 µs, 125 µs | 1V | |||||||||||||||||||
| 4N26VM | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||||
| H11A3M | 0.2200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| MOC213R2VM | 0.2500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| 6N137SD | 0.9500 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
| H11N1TVM | - | | 5895 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4V ~ 15V | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 5MHz | 7.5ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||||||
| HCPL0501V | 1.0300 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 316 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
| Moc3021fm | 0.3300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | - | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | 60 Ma | 7500vpk | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | ||||||||||||||||||
| FODM3082 | - | | 2073 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | Cul, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 3750vrms | 800 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
| CNY17F2M | - | | 5890 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 572 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | Til117vm | 0.3500 | | 6390 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 632 | - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | 50% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 400mv |
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