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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FODM1008 | 0.1700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.862 | 50mera | 5.7 µs, 8.5 µs | 70V | 1.4V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||
![]() | HCPL2631V | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 30mera | 2500 VRMS | 2/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F3300 | 0.0900 | ![]() | 1115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 955 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
![]() | H11AA1VM | 1.0000 | ![]() | 3626 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | HCPL0700 | 1.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 260 | 60mera | - | 7V | 1.25V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 1 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||
![]() | 4N25TVM | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.122 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 500mv | ||||||||||||||||
![]() | Fodm8061v | 1.1100 | ![]() | 2430 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 3V ~ 5.5V | 5-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 98 | 50 Ma | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1.45V | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||
![]() | MCT2103S | 1.0000 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 11 µs | 30V | 1.33V | 100 mA | 5300 VRMS | 150% @ 10mA | - | 1 µs, 50 µs | 400mv | |||||||||||||||
![]() | CNY174TVM | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.588 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | 4N36SR2M | 0.1700 | ![]() | 4653 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 30V | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||||
![]() | CNY171TM | 0.1900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
![]() | MOC8204SR2M | 0.5300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 571 | 100mA | - | 400V | 1.15V | 80 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | MOC8050300 | 1.0000 | ![]() | 7031 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 500% @ 10mA | - | 3.5 µs, 95 µs | - | |||||||||||||||
![]() | MOC3061SVM | 1.0000 | ![]() | 1731 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | FODM452R2 | - | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | 20V | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | 50% @ 16MA | 400ns, 350ns | - | ||||||||||||||||
![]() | 4N37300 | 0.0900 | ![]() | 9539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-4N37300-FS | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | ||||||||||||||
![]() | HCPL2731SM | 1.0000 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | MOC8106SM | - | ![]() | 9979 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | MCT2M | 0.0700 | ![]() | 6511 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.384 | - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.23V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
![]() | FOD816S | 1.0000 | ![]() | 5645 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V | |||||||||||||||
FOD4116SV | 1.0000 | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD4116 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | |||||||||||||||||
![]() | FOD420V | - | ![]() | 9753 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD420 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||
![]() | FOD617C | - | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||
![]() | H11AA2M | 0.2200 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 950 | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 400mv | |||||||||||||||
![]() | HMA124R1V | 0.0900 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||
![]() | FOD2743CSDV | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 70V | 1.07V | 5000 VRMS | 50% @ 1MA | 100% @ 1MA | - | 400mv | ||||||||||||||||
![]() | H11AG2300 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
![]() | Fod4116v | 1.6600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD4116 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 181 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||
![]() | FOD4118 | 2.6500 | ![]() | 316 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Fod411 | CSA, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 123 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||
![]() | CNY174SR2M | - | ![]() | 1095 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv |
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