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Optoisoladores (794)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOC217R2M | - |  | 7577 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.07V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HMA121E | - | | 2659 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | H11A1W | 0.0900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | FOD817300W | 0.1300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,251 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
| Moc256r1m | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 30V | 1.2V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | |||||||||||||||||
| FOD8001R2 | 1.0000 | | 3438 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Lógica | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 Ma | 25Mbps | 6.5ns, 6.5ns | - | - | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||||
| FOD2741Asv | - | | 8452 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||||
 | FOD814SD | - | | 1197 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | 0000.00.0000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||||
 | MOC3021SR2VM | 0.3500 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 855 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | ||||||||||||||||||
| 6N135S | 1.0000 | | 3448 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
| FOD410 | 2.1000 | | 568 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | FOD410 | CSA, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 143 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||||
| 6N139SDVM | 0.6900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 435 | 60mera | - | 18V | 1.3V | 20 Ma | 5000 VRMS | 500% @ 1.6MA | - | 240ns, 1.3 µs | - | ||||||||||||||||||
| MOC8106SR2M | - | | 6132 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HCPL2530 | 1.0000 | | 6820 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-HCPL2530-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MOC3020TVM | - | | 8154 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 30mera | - | ||||||||||||||||||
 | FOD410SV | 1.0000 | | 2765 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD410 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||||
| Fod817s | - | | 3147 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4n28 | 1.0000 | | 1800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 500mv | |||||||||||||||||
 | MOCD207R2M | - | | 8267 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
| Moc3081vm | - | | 1357 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||||
| HCPL0600R1 | 1.0000 | | 9378 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.75V (Max) | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 5kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| Moc211r1m | 1.0000 | | 8232 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||||||||||||
 | FOD2741BT | 1.0000 | | 8970 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||||
 | HCPL2530M | 0.9500 | | 719 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 316 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
 | HCPL0453R2 | 1.1900 | | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 253 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC8030 | 1.0000 | | 6498 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 300% @ 10mA | - | 3.5 µs, 95 µs | - | |||||||||||||||||
| FOD073LR2 | 1.4900 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Darlington | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 219 | 60mera | - | 7V | 1.35V | 20 Ma | 2500 VRMS | 400% @ 500 µA | 7000% @ 500 µA | 5 µs, 25 µs | - | ||||||||||||||||||
 | H11A4S | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 10% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||||
| MOC3052SR2M | - | | 5540 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Tu | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||
 | HMHA281 | - | | 4124 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | HMHA28 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-Mini-Flat | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 400mv |
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