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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FODM3021R4 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | HMA124R1 | 0.1000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | CNY17F3SD | - | ![]() | 4570 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 1 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||
![]() | FODM3052 | 1.0000 | ![]() | 7060 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | 4n29m | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.398 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1V | ||||||||||||||||||
![]() | MOC3012SM | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc301 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.259 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 100 µA (topos) | No | - | 5 mm | - | ||||||||||||||||||
![]() | FOD4216SV | - | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD4216 | Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 1.3MA | 60 µs | ||||||||||||||||||
![]() | FOD852S | - | ![]() | 3990 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 100 µs, 20 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | 15000% @ 1MA | - | 1.2V | ||||||||||||||||||
![]() | Mocd211m | 0.3800 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 785 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | H11AA1M | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.535 | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (máx) | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | FODM2705R2V | 0.2500 | ![]() | 4456 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 270 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 40V | 1.4V (Máximo) | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||||||
FOD410SDV | 1.0000 | ![]() | 2888 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD410 | CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.25V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 500 µA | Si | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | |||||||||||||||||||
![]() | MOC8106SR2VM | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.061 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 50% @ 10mA | 150% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | FOD817BW | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | Moc3061tm | 0.4700 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc306 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
![]() | H11A8173S | 0.0600 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
Til111vm | 1.0000 | ![]() | 6233 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2mera | 10 µs, 10 µs (máx) | 30V | 1.2V | 60 Ma | 7500vpk | - | - | - | 400mv | |||||||||||||||||||
![]() | H11D2S | - | ![]() | 5215 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 213 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||||
![]() | Moc3063vm | - | ![]() | 3862 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||||
![]() | H11A817As | 1.0000 | ![]() | 2268 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 80% @ 5MA | 160% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | CNY174SR2VM | - | ![]() | 1027 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||
![]() | 4N36_NL | 0.0900 | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.49.8000 | 32 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 10 µs, 9 µs | 300mv | |||||||||||||||
![]() | H11AA814W | 0.0900 | ![]() | 2951 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,300 | 50mera | 2.4 µs, 2.4 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | FODM3062 | 0.7600 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | Cul, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | 4N38SM | - | ![]() | 3219 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.008 | 100mA | - | 80V | 1.15V | 80 Ma | 4170vrms | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 1V | ||||||||||||||||||
![]() | Fod814s | 0.1700 | ![]() | 5810 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 129 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 1MA | 300% @ 1MA | - | 200 MV | |||||||||||||||
![]() | MOC3031SDM | 0.2300 | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc303 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 15 Ma | - | |||||||||||||||||
![]() | H11G1TVM | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 100V | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 1000% @ 10 Ma | - | 5 µs, 100 µs | 1V | ||||||||||||||||||
![]() | FODM3021R4V | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 400 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 10V/µs (topos) | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | HCPL0601R1 | - | ![]() | 1502 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 199 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.75V (Max) | 50mera | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns |
Volumen de RFQ promedio diario
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