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Optoisoladores (794)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N363SD | 0.1000 |  | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | H11AG1VM | 0.4400 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 732 | 50mera | - | 30V | 1.25V | 50 Ma | 4170vrms | 100% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | Moc3021sm | 0.2300 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | Ul | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,280 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | 6n137v | 0.6600 | | 587 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1.4V | 50mera | 2500 VRMS | 1/0 | 10kV/µs (TÍP) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| 4n27m | - | | 3809 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 10% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 500mv | ||||||||||||||||
 | FODM3052R1 | - | | 5074 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 300 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||
| H11AG2 | 0.1800 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 50 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | Fod2711asd | 0.6100 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 495 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
| MOC3021SVM | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 865 | 1.15V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 100 µA (topos) | No | - | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | HCPL0534R2 | 0.9500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 317 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 2500 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 450ns, 300ns | - | ||||||||||||||||
 | HMA124R1 | 0.1000 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | |||||||||||||||
| FOD2712AV | - | | 3075 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 2500 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | Fod2741atv | 0.7000 | | 720 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 430 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||||
 | CNY17F4SR2VM | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| Moc3082vm | 1.0000 | | 7318 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.3V | 60 Ma | 4170vrms | 800 V | 500 µA (topos) | Si | 600V/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | Fod617a | 0.0700 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.35V | 50 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||||||||
| MCT5210S | 0.1800 | | 1985 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | - | 30V | 1.25V | 50 Ma | 5300 VRMS | 70% @ 3MA | - | 10 µs, 400ns | 400mv | |||||||||||||||
| 4n29m | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.398 | - | - | 55V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (máx) | 1V | ||||||||||||||||
 | Fod2711v | 0.2900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| MOC3041VM | - | | 9812 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Moc304 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 400 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | FOD4208SD | - | | 8872 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | FOD4208 | Cul, Fimko, UL | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.28V | 30 Ma | 5000 VRMS | 800 V | 500 µA | No | 10 kV/µs | 2mera | 60 µs | ||||||||||||||||
| MOC3051TVM | - | | 8583 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc305 | Ur, vde | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 15 Ma | - | ||||||||||||||||
 | FODM124R2 | - | | 1781 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | ||||||||||||||||
| CNY17F1VM | 0.2000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,508 | 50mera | 4 µs, 3.5 µs (MAX) | 70V | 1.35V | 60 Ma | 4170vrms | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 2 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| SL5500 | 0.1200 | | 2052 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 21 | 100mA | - | 30V | 1.23V | 100 mA | 5300 VRMS | 40% @ 10mA | 300% @ 10mA | 20 µs, 50 µs (máx) | 400mv | |||||||||||||||
| H11F2 | 1.4600 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11F | Corriente Continua | 1 | Mosfet | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | - | - | 25 µs, 25 µs (MAX) | - | ||||||||||||||
 | Fodm452r1v | - | | 7950 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 8 MA | - | 20V | 1.6V | 25 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | 50% @ 16MA | 400ns, 350ns | - | |||||||||||||||
| Moc19m | - | | 7923 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | - | 30V | 1.15V | 60 Ma | 5300 VRMS | 300% @ 10mA | - | 3.5 µs, 95 µs | 1V | |||||||||||||||
| Moc23vm | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 8 µs, 110 µs | 30V | 1.08V | 60 Ma | 2500 VRMS | 500% @ 1MA | - | 10 µs, 125 µs | 1V | |||||||||||||||
| MOC8112 | - | | 9964 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.437 | - | 3 µs, 14 µs | 70V | 1.15V | 90 Ma | 5300 VRMS | 50% @ 10mA | - | 4.2 µs, 23 µs | 400mv |
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